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參數(shù)資料
| 型號： | MA4E1245KETR7 |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY, X BAND, MIXER DIODE |
| 封裝： | PLASTIC PACKAGE-3 |
| 文件頁數(shù)： | 1/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 137K |
| 代理商： | MA4E1245KETR7 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| ML40176-186 | SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY, X BAND, MIXER DIODE |
| ML40157-120 | SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY, X BAND, MIXER DIODE |
| ML4114-91 | 9.5 GHz - 11 GHz, GALLIUM ARSENIDE, CONTINUOUS WAVE IMPATT DIODE |
| MSS-40448-E40 | SILICON, MEDIUM BARRIER SCHOTTKY, S BAND, MIXER DIODE |
| MSS-30046-P55 | SILICON, LOW BARRIER SCHOTTKY, S BAND, MIXER DIODE |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MA4E1310 | 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:GaAs Flip Chip Schottky Barrier Diode |
| MA4E1317 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
| MA4E1317_V7 | 制造商:MA-COM 制造商全稱:M/A-COM Technology Solutions, Inc. 功能描述:GaAs Flip Chip Schottky Barrier Diodes |
| MA4E1317-1 | 制造商:M/A-COM Technology Solutions 功能描述:SCD, AIL, DIODE, SCHOTTKY, BEAM LEAD, GAAS PROPRIETARY - Bulk |
| MA4E1318 | 功能描述:肖特基二極管與整流器 DC-80GHz Cap .09pF Junc. Cap .09pF RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 產(chǎn)品:Schottky Diodes 峰值反向電壓:2 V 正向連續(xù)電流:50 mA 最大浪涌電流: 配置:Crossover Quad 恢復時間: 正向電壓下降:370 mV 最大反向漏泄電流: 最大功率耗散:75 mW 工作溫度范圍:- 65 C to + 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-143 封裝:Reel |
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