參數(shù)資料
型號： MA3S132E
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 參考電壓二極管
英文描述： Silicon epitaxial planar type
中文描述： 0.1 A, 80 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI3-F2, SC-81, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/2頁
文件大?。?/td> 47K
代理商： MA3S132E
Switching Diodes
MA3S132E
Silicon epitaxial planar type
1
For switching circuits
I
Features
Short reverse recovery time t
rr
Small terminal capacitance, C
t
Super-small SS-mini type package contained two elements, allow-
ing high-density mounting
I
Absolute Maximum Ratings
T
a
=
25
°
C
1 : Anode 1
2 : Anode 2
3 : Cathode 1
Cathode 2
SS-Mini Type Package (3-pin)
Unit : mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
V
R
80
V
Peak reverse voltage
V
RM
I
F
80
V
Forward current
(DC)
Single
100
mA
Double
150
Peak forward
current
Single
I
FM
225
mA
Double
340
Non-repetitive peak
forward surge current
*
Single
I
FSM
500
mA
Double
750
Junction temperature
T
j
T
stg
150
°
C
°
C
Storage temperature
55 to
+
150
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Reverse current (DC)
I
R
V
R
=
75 V
I
F
=
100 mA
I
R
=
100
μ
A
V
R
=
0 V, f
=
1 MHz
100
nA
Forward voltage (DC)
V
F
V
R
C
t
1.2
V
Reverse voltage (DC)
80
V
Terminal capacitance
2
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
=
10 mA, V
R
=
6 V
I
rr
=
0.1 · I
R
, R
L
=
100
3
ns
I
Electrical Characteristics
T
a
=
25
°
C
Internal Connection
Marking Symbol: MU
Note) * : t = 1 s
Note) 1. Rated input/output frequency: 100 MHz
2. * : t
rr
measuring circuit
1
3
2
1.60
±
0.1
1
+
0
0
0
+
0
0
0
+
0
0
0.80
1
2
0.44
0.44
3
0.80
±
0.05
0
0
±
0
0
0
0
0
±
0
0
±
0
0.88
+
0.05
0.03
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
r
=
0.35 ns
δ
=
0.05
I
F
=
10 mA
V
R
=
6 V
R
L
=
100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
=
0.1
·
I
R
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MA3S137 Silicon epitaxial planar type
MA3S781D Silicon epitaxial planar type
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參數(shù)描述
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