參數(shù)資料
型號： MA3J741DG
廠商： PANASONIC CORP
元件分類： 射頻混頻器
英文描述： SILICON, L BAND, MIXER DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, SMINI3-F2, 3 PIN
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大小： 227K
代理商： MA3J741DG
Schottky Barrier Diodes (SBD)
1
Publication date: October 2007
SKH00195AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
MA3J741DG, MA3J741EG
Silicon epitaxial planar type
For high speed switching
For wave detection
■ Features
Two MA3J7410G is contained in one package
Low forward voltage V
F and good wave detection efficiency η
Small temperature coefficient of forward characteristic
Small reverse current I
R
■ Absolute Maximum Ratings T
a
= 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
VR
30
V
Maximum peak reverse voltage
VRM
30
V
Forward current
Single
IF
30
mA
Double
20
Peak forward current
Single
IFM
150
mA
Double
110
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +125
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
VF1
IF = 1 mA
0.4
V
VF2
IF
= 30 mA
1.0
Reverse current
IR
VR = 30 V
1
A
Terminal capacitance
Ct
VR = 1 V, f = 1 MHz
1.5
pF
Reverse recovery time *
trr
IF = IR = 10 mA
1.0
ns
Irr
= 1 mA, R
L
= 100
Detection efficiency
η
VIN = 3 V(peak) , f = 30 MHz
65
%
RL
= 3.9 k, C
L
= 10 pF
■ Electrical Characteristics T
a
= 25°C ± 3°C
Bias Application Unit (N-50BU)
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s = 50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
R
i = 50
t
p = 2 s
t
r = 0.35 ns
δ = 0.05
I
F = 10 mA
I
R = 10 mA
R
L = 100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
rr = 1 mA
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
A
12
3
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
3. Absolute frequency of input and output is 2 GHz.
4.*: trr measurement circuit
■ Package
Code
SMini3-F2
Pin Name
MA3J741DG
MA3J741EG
1: Cathode 1
1: Anode 1
2: Cathode 2
2: Anode 2
3: Anode
3: Cathode
■ Marking Symbol
MA3J741DG: M2P
MA3J741EG: M2R
■ Internal Connection
12
3
D
E
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相關PDF資料
PDF描述
MA3JP02F SILICON, PIN DIODE
MA3S7950G 0.03 A, SILICON, SIGNAL DIODE
MA3SD22FG SILICON, L BAND, MIXER DIODE
MA3SD22F 0.03 A, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
MA3X1000G 0.1 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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MA3J742 制造商:PANASONIC 制造商全稱:Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type
MA3J74200L 功能描述:DIODE SCHOTT 30V 30MA S-MINI 3P RoHS:是 類別:分離式半導體產(chǎn)品 >> 二極管，整流器 - 陣列 系列:- 其它有關文件:STTH10LCD06C View All Specifications 標準包裝:1,000 系列:- 電壓 - 在 If 時為正向 (Vf)（最大）:2V @ 5A 電流 - 在 Vr 時反向漏電:1µA @ 600V 電流 - 平均整流 (Io)（每個二極管）:5A 電壓 - (Vr)（最大）:600V 反向恢復時間(trr):50ns 二極管類型:標準 速度:快速恢復 = 200mA（Io） 二極管配置:1 對共陰極 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB 供應商設備封裝:D2PAK 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁面:1553 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱:497-10107-2
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