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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MA2YF800G |
| 廠(chǎng)商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類(lèi)： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | SIGNAL DIODE |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, MINI2-F2, 2 PIN |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 1/3頁(yè) |
| 文件大小： | 279K |
| 代理商： | MA2YF800G |
Fast Recovery Diodes (FRD)
Publication date: March 2009
SKH00254AED
1
This product complies with RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
MA2YF800G
Silicon epitaxial planar type
Manenane
For high speed switching circuits
Dsoninued
Features
High repetitive peak reverse voltage V
RRM
Short reverse recovery time t
rr
ManenanceDsconinuedincudesfolowngfou Poduc iecycesage
Absolute Maximum Ratings
T
= 25
°
C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Repetitive peak reverse voltage
V
RRM
800
V
Non-repetitive peak reverse surge voltage
V
RSM
800
V
Forward current
I
F
200
mA
Non-repetitive peak forward surge current
*
I
FSM
1
A
Junction temperature
T
j
–40 to +150
PeasevstfolowngURLabou aes nomaion
°
C
Storage temperature
T
stg
panedmanenancetype
Note) *: 50 Hz sine wave 1 cycle (Non-repetitive peak current)
Electrical Characteristics
T
a
= 25
°
C
±
3
°
C
Parameter
Symbol
Conditions
dsconinuedtype
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
V
F
I
F
= 200 mA
2.5
V
Reverse current
I
RRM1
V
RRM
= 400 V
1
A
I
RRM2
V
RRM
= 800 V
20
Terminal capacitance
C
t
V
= 0 V, f = 1 MHz
2
pF
Reverse recovery time
*
t
rr
I
F
= 100 mA, I
= 200 mA
I
rr
= 20 mA, R
= 100
W
20
45
ns
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body and the leakage
of current from the operating equipment.
3. *: t
rr
measurement circuit
Bias Application Unit (N-50BU)
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s
=
50
Wave Form Analyzer
(SAS-8130)
R
i
=
50
t
p
=
2
μ
s
t
=
0.35 ns
δ =
0.05
I
F
=
I
R
=
100 mA
R
L
=
100
10%
Input Pulse
t
p
Output Pulse
I
rr
=
0.1
×
I
R
t
r
t
rr
V
R
I
F
t
t
A
Package
Code
Mini2-F2
Pin Name
1: Anode
2: Cathode
Marking Symbol: HB
Internal Connection
1
2
manenancetype
paneddsconinuedtyped
htp/panasoncne/scen
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA2ZD140G | 0.1 A, 20 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| MA337 | 39.295 pF, 32 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MA351 | VHF BAND, 13 pF, 15 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MA360 | VHF-UHF BAND, 15.35 pF, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE |
| MA3UD06 | SILICON, VHF BAND, MIXER DIODE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MA2Z001 | 制造商:Panasonic Industrial Company 功能描述:DIODE |
| MA2Z00100L | 功能描述:DIODE SWITCH 200V 100MA SMINI2P RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類(lèi)型:底座，接線(xiàn)柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線(xiàn)柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱(chēng):*1N3879 |
| MA2Z0010GL | 功能描述:DIODE SWITCH 200V 100MA SMINI2P RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類(lèi)型:底座，接線(xiàn)柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線(xiàn)柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱(chēng):*1N3879 |
| MA2Z0300AL | 功能描述:DIODE VARISTOR 6V 150MA SMINI RoHS:是 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 單二極管/整流器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:100 系列:- 二極管類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn) 電壓 - (Vr)（最大）:50V 電流 - 平均整流 (Io):6A 電壓 - 在 If 時(shí)為正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢復(fù) = 200mA（Io） 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):300ns 電流 - 在 Vr 時(shí)反向漏電:15µA @ 50V 電容@ Vr, F:- 安裝類(lèi)型:底座，接線(xiàn)柱安裝 封裝/外殼:DO-203AA，DO-4，接線(xiàn)柱 供應(yīng)商設(shè)備封裝:DO-203AA 包裝:散裝 其它名稱(chēng):*1N3879 |
| MA2Z077 | 制造商:PANASONIC 制造商全稱(chēng):Panasonic Semiconductor 功能描述:Silicon epitaxial planar type |
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