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參數(shù)資料
| 型號： | MA2YD09 |
| 廠商： | PANASONIC CORP |
| 元件分類： | 參考電壓二極管 |
| 英文描述： | 1 A, 30 V, SILICON, SIGNAL DIODE |
| 封裝： | MINI PACKAGE-2 |
| 文件頁數(shù)： | 1/1頁 |
| 文件大?。?/td> | 23K |
| 代理商： | MA2YD09 |
MA2YD09
MA2YD09
Silicon epitaxial planar type
For super-high speed switching circuit
I Features
Low V
F or Low IR type: VF < 0.40V
Allowing to rectify under (I
F(AV) = 1 A) condition
I Absolute Maximum Ratings T
a = 25°C
Unit : mm
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage (DC)
VR
30
V
Repetitive peak reverse voltage
VRRM
30
V
Average forward current*2
IF(AV)
1A
Non-repetitive peak forward
IFSM
3A
surge current*1
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +125
°C
1 : Anode
2 : Cathode
Mini Type Package (2-pin)
Marking Symbol: 2S
Parameter
Symbol
Conditions
M i n
Ty p
M a x
Unit
Reverse current (DC)
IR
VR = 30 V
3
A
Forward voltage (DC)
VF
IF = 1.0A
0.40
V
Terminal capacitance
Ct
VR = 0 V, f = 1 MHz
50
pF
Reverse recovery time*
trr
IF = IR = 100 mA
10
ns
Irr = 0.1 IR, RL = 100
I
Electrical Characteristics T
a = 25°C
Note) 1 . Schottky barrier diode is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on
the charge of a human body and the leakage of current from the operating equipment.
2. Rated input/output frequency: 400 MHz
3. * : trr measuring instrument
Note) *1 : The peak-to-peak value in one cycle of 50 Hz sine-wave (non-
repetitive)
*2 : Mounted on a alumina printed circuit board
Bias Application Unit N-50BU
90%
Pulse Generator
(PG-10N)
R
s = 50
W.F.Analyzer
(SAS-8130)
R
i = 50
t
p = 2 s
t
r = 0.35 ns
δ = 0.05
I
F = 100 mA
I
R = 100 mA
R
L = 100
10%
Input Pulse
Output Pulse
I
rr = 0.1 IR
t
r
t
p
t
rr
V
R
I
F
t
A
5
1.6±0.1
1
2
0.80±0.05
0.55±0.1
0.16
+0.1
–0.06
3.5
±0.1
2.6
±0.1
0.45±0.1
5
0 to 0.1
0
to
0.1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MA2YD170G | 0.3 A, SILICON, SIGNAL DIODE |
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| MA3036 | Silicon planar type |
| MA3039 | Silicon planar type |
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參數(shù)描述 |
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