參數(shù)資料
型號(hào)： MA2SE010G
廠商： PANASONIC CORP
元件分類(lèi)： 射頻混頻器
英文描述： SILICON, HF BAND, MIXER DIODE
封裝： ROHS COMPLIANT, SSMINI2-F4, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/4頁(yè)
文件大小： 194K
代理商： MA2SE010G
Schottky Barrier Diodes (SBD)
1
Publication date: October 2007
SKH00184AED
This product complies with the RoHS Directive (EU 2002/95/EC).
MA2SE010G
Silicon epitaxial planar type
For mixer
■ Features
High-frequency wave detection is possible
Low forward voltage V
F
Small terminal capacitance C
t
SS-Mini type 2-pin package
■ Absolute Maximum Ratings T
a = 25°C
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Reverse voltage
VR
20
V
Maximum peak reverse voltage
VRM
20
V
Forward current
IF
35
mA
Peak forward current
IFM
100
mA
Junction temperature
Tj
125
°C
Storage temperature
Tstg
55 to +125
°C
Parameter
Symbol
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Forward voltage
VF1
IF
= 1 mA
0.41
V
VF2
IF = 35 mA
1.0
V
Reverse current
IR
VR = 15 V
200
nA
Terminal capacitance
Ct
VR
= 0 V, f = 1 MHz
1.2
pF
Forward dynamic resistance
rf
IF = 5 mA
40
■ Electrical Characteristics T
a
= 25°C ± 3°C
Note) 1. Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7031 measuring methods for diodes.
2. This product is sensitive to electric shock (static electricity, etc.). Due attention must be paid on the charge of a human body
and the leakage of current from the operating equipment.
3. Rated input/output frequency: 2 GHz
■ Package
Code
SSMini2-F4
Pin Name
1: Anode
2: Cathode
■ Marking Symbol: 4L
Ma
int
en
an
ce
/
Dis
co
nti
nu
ed
Maintenance/Discontinued
includes
following
four
Product
lifecy
cle
stage.
planed
maintenance
type
maintenance
type
planed
discontinued
typed
discontinued
type
Please
visit
following
URL
about
latest
information.
http://panasonic.net/sc/en
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MA2YD230G 1 A, 25 V, SILICON, SIGNAL DIODE
MA2Z360J VHF-UHF BAND, 30 V, SILICON, VARIABLE CAPACITANCE DIODE
MA2Z7200G 0.5 A, SILICON, SIGNAL DIODE
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MA30B SILICON, STABISTOR DIODE
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