參數(shù)資料
型號(hào)： M6MGT162S2BVP
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & CMOS SRAM Stacked-MCP
中文描述： 3.3的CMOS只快閃記憶體
文件頁(yè)數(shù)： 2/29頁(yè)
文件大?。?/td> 235K
代理商： M6MGT162S2BVP
Sep.1999 , Rev.2.0
MITSUBISHI LSIs
16,777,216-BIT (1,048,576 -WORD BY 16-BIT ) CMOS
3.3V-ONLY FLASH MEMORY &
2,097,152-BIT (262,144-WORD BY 8-BIT) CMOS SRAM
Stacked-MCP (Multi Chip Package)
M6MGB/T162S2BVP
2
BLOCK DIAGRAM
F-VCC
(3.3V)
A
R
S-CE
WE#
OE#
S-A
-1
262144 WORD x
8 BITS
CLOCK
GENERATOR
DQ7
DQ0
S-VCC
GND
2Mb SRAM
A
0
A
15
A
16
MULTIPLEXER
INPUT/OUTPUT
BUFFERS
DQ
15
DQ
14
DQ
13
DQ
12
DQ
2
DQ
1
DQ
0
DQ
3
WSM
16Mb Flash Memory
X-DECODER
Y-DECODER
Y-GATE / SENSE AMP.
F-CE#
OE#
WE#
F-WP#
F-RP#
GND (0V)
CUI
STATUS / ID REGISTER
128 WORD PAGE BUFFER
Main Block 32KW
Main Block 32KW
Parameter Block7 16KW
F-RY/BY#
READY/BUSY OUTPUT
A
18
A
17
A
16
A
15
A
14
A
13
A
12
A
11
A
10
A
9
A
8
A
7
A
6
A
5
A
4
A
3
A
2
A
1
A
0
ADDRESS
INPUTS
CHIP ENABLE INPUT
OUTPUT ENABLE INPUT
WRITE ENABLE INPUT
WRITE PROTECT INPUT
RESET/POWER DOWN INPUT
B
28
Parameter Block5 16KW
Parameter Block4 16KW
Parameter Block6 16KW
Boot Block 16KW
Parameter Block3 16KW
Parameter Block2 16KW
Parameter Block1 16KW
B
A
19
DATA INPUTS/OUTPUTS
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M6MGB162S2BVP CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & CMOS SRAM Stacked-MCP
M6MGT162S4BVP CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & CMOS SRAM Stacked-MCP
M6MGB162S4BVP CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & CMOS SRAM Stacked-MCP
M6MGT166S4BWG Series RC1083 rocker switches rated to 15 amp and snap-in panel mount
M7085 PFM STEP-DOWN DC-DC CONTROLLER
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參數(shù)描述
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M6MGT166S2BWG 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY & CMOS SRAM Stacked-CSP
M6MGT166S4BWG 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱(chēng):Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:16,777,216-BIT (1,048,576 -WORD BY 16-BIT ) CMOS 3.3V-ONLY FLASH MEMORY
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