參數(shù)資料
型號： M68AW512DZB
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 8 Mbit 512K x16 3.0V Asynchronous SRAM
中文描述： 8兆位為512k x16 3.0V異步SRAM
文件頁數(shù)： 1/19頁
文件大?。?/td> 296K
代理商： M68AW512DZB
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September 2004
M68AW512M
8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
FEATURES SUMMARY
SUPPLY VOLTAGE: 2.7 to 3.6V
512K x 16 bits SRAM with OUTPUT ENABLE
EQUAL CYCLE and ACCESS TIME: 55ns
SINGLE BYTE READ/WRITE
LOW STANDBY CURRENT
LOW V
CC
DATA RETENTION: 1.5V
TRI-STATE COMMON I/O
AUTOMATIC POWER DOWN
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Figure 1. Package
44
1
TSOP44 Type II (ND)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M68AW512MN70ND1T 8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68AW512MN70ND6T 8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68HC12A4EVB Primarily as an Expanded Mode Microcontroller
M68HC12B Microcontrollers
M68HC705UGANG High-density complementary metal oxide semiconductor (HCMOS) microcontroller unit
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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M68AW512ML55ND1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68AW512ML55ND6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68AW512ML70ND1T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:8 Mbit (512K x16) 3.0V Asynchronous SRAM
M68AW512ML70ND6 功能描述:靜態(tài)隨機存取存儲器 WIRELESS FLASH RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存儲容量:16 Mbit 組織:1 M x 16 訪問時間:55 ns 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.2 V 最大工作電流:22 uA 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 40 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:TSOP-48 封裝:Tray
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