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參數(shù)資料
| 型號： | M59DR032A |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，雙行，第低壓閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 22/38頁 |
| 文件大?。?/td> | 270K |
| 代理商： | M59DR032A |
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M59DR032A, M59DR032B
Table 28. Data Polling and Toggle Bits AC Characteristics (1)
(TA = 0 to 70 °C or –40 to 85 °C; VDD = VDDQ = 1.65V to 2.2V)
Note: 1. All other timings are defined in Read AC Characteristics table.
Symbol
Parameter
M59DR032
Unit
Min
Max
tWHQ7V
Write Enable High to DQ7 Valid (Program, W Controlled)
10
200
s
Write Enable High to DQ7 Valid (Block Erase, W Controlled)
1.0
10
sec
tEHQ7V
Chip Enable High to DQ7 Valid (Program, E Controlled)
10
200
s
Chip Enable High to DQ7 Valid (Block Erase, E Controlled)
1.0
10
sec
tQ7VQV
Q7 Valid to Output Valid (Data Polling)
0
ns
tWHQV
Write Enable High to Output Valid (Program)
10
200
s
Write Enable High to Output Valid (Block Erase)
1.0
10
sec
tEHQV
Chip Enable High to Output Valid (Program)
10
200
s
Chip Enable High to Output Valid (Block Erase)
1.0
10
sec
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M59DR032A100N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032A100N6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032A100ZB1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032A100ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
| M59DR032A120N1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Dual Bank, Page Low Voltage Flash Memory |
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