參數(shù)資料
型號： M485L1624FU0-CA2
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： Ring Core Bead Ferrite; Impedance:200ohm; Cable Diameter Max:0.35"; Latch Height:0.2"; Width (Latch Included):0.885"; External Height:0.79"; External Width:0.77"; Length:1.45"
中文描述： 的DDR SDRAM SODIMM
文件頁數(shù)： 11/20頁
文件大小： 264K
代理商： M485L1624FU0-CA2
DDR SDRAM
128MB, 256MB SODIMM Pb-Free
Revision 1.2 Oct. 2004
AC Operating Conditions
Parameter/Condition
Symbol
Min
Max
Unit
Note
Input High (Logic 1) Voltage, DQ, DQS and DM signals
Input Low (Logic 0) Voltage, DQ, DQS and DM signals.
Input Differential Voltage, CK and CK inputs
Input Crossing Point Voltage, CK and CK inputs
VIH(AC)
VIL(AC)
VID(AC)
VIX(AC)
VREF + 0.31
V
V
V
V
3
3
1
2
VREF - 0.31
VDDQ+0.6
0.5*VDDQ+0.2
0.7
0.5*VDDQ-0.2
Note 1. VID is the magnitude of the difference between the input level on CK and the input on CK.
2. The value of V
IX
is expected to equal 0.5*V
DDQ
of the transmitting device and must track variations in the DC level of the same.
3. These parameters should be tested at the pim on actual components and may be checked at either the pin or the pad in simula-
tion. the AC and DC input specificatims are refation to a Vref envelope that has been bandwidth limited 20MHz.
Output Load Circuit (SSTL_2)
Output
Z0=50
C
LOAD
=30pF
V
REF
=0.5*V
DDQ
R
T
=50
V
tt
=0.5*V
DDQ
Input/Output Capacitance
(VDD=2.5V, VDDQ=2.5V, TA= 25
°
C, f=1MHz)
Parameter
Symbol
M470L1624FU0
Min
41
34
34
25
6
6
-
M470L3224FU0
Min
49
42
42
25
6
6
-
M485L1624FU0
Min
41
34
34
25
6
6
6
Unit
Max
45
38
38
30
7
7
-
Max
57
50
50
30
7
7
-
Max
45
38
38
30
7
7
7
Input capacitance(A0 ~ A12, BA0 ~ BA1,RAS,CAS,WE )
Input capacitance(CKE0, CKE1)
Input capacitance( CS0, CS1)
Input capacitance( CLK0, CLK1,CLK2)
Input capacitance(DM0~DM7,DM8(for ECC))
Data & DQS input/output capacitance(DQ0~DQ63)
Data input/output capacitance (CB0~CB7)
CIN1
CIN2
CIN3
CIN4
CIN5
Cout1
Cout2
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M470L1624FU0-CB0 Split Core Ferrite Bead; Inner Diameter:0.45"; Package/Case:Split Ferrite Core; External Width:0.93"; Frequency:100MHz; Impedance:238ohm; Latch Height:0.38"; Mounting Type:Surface Mount; Width (Latch Included):1.035" RoHS Compliant: Yes
M470L3224FU0-CB0 DDR SDRAM SODIMM
M470L1624FU0-CB3 DDR SDRAM SODIMM
M470L3224FU0-CB3 DDR SDRAM SODIMM
M470L6423CK0 512MB DDR SDRAM MODULE (64Mx64 based on DDP 64Mx 8 DDR SDRAM) 200pin SODIMM 64bit Non-ECC/Parity
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參數(shù)描述
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M485L1624FU0-CB3 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM SODIMM
M487X0003 功能描述:MOTOR BRUSHED DC ENC 174.64W 24V RoHS:是 類別:電機(jī)，螺線管 >> 電機(jī) - AC，DC 系列:M487X000X 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:OMNUC G 類型:伺服 AC 電壓 - 額定:200VAC RPM:1000 RPM 直徑 - 主體:6.93"（176.00mm） 直徑 - 軸:1.38"（35.00mm） 長度 - 軸和支架:3.15"（80.00mm） 安裝孔間距:7.87"（200.00mm） 特點:絕對式編碼器，鍵 端接類型:連接器 轉(zhuǎn)矩 - 運行（oz-in / mNm):4021.8 / 28400 轉(zhuǎn)矩 - 啟動狀態(tài) (oz-in / mNm):- 轉(zhuǎn)矩 - 停滯狀態(tài) (oz-in / mNm):- 齒輪減速比:無 電壓范圍:- 功率（瓦特）:3kW 重量:55 磅（24.9kg） 其它名稱:R88MG3K010TS2
M487X0004 功能描述:MOTOR BRUSH DC GEAR ENC 174.64W RoHS:是 類別:電機(jī)，螺線管 >> 電機(jī) - AC，DC 系列:M487X000X 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:OMNUC G 類型:伺服 AC 電壓 - 額定:200VAC RPM:1000 RPM 直徑 - 主體:6.93"（176.00mm） 直徑 - 軸:1.38"（35.00mm） 長度 - 軸和支架:3.15"（80.00mm） 安裝孔間距:7.87"（200.00mm） 特點:絕對式編碼器，鍵 端接類型:連接器 轉(zhuǎn)矩 - 運行（oz-in / mNm):4021.8 / 28400 轉(zhuǎn)矩 - 啟動狀態(tài) (oz-in / mNm):- 轉(zhuǎn)矩 - 停滯狀態(tài) (oz-in / mNm):- 齒輪減速比:無 電壓范圍:- 功率（瓦特）:3kW 重量:55 磅（24.9kg） 其它名稱:R88MG3K010TS2
M487X0005 功能描述:MOTOR BRUSH DC GEAR ENC 174.64W RoHS:是 類別:電機(jī)，螺線管 >> 電機(jī) - AC，DC 系列:M487X000X 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:OMNUC G 類型:伺服 AC 電壓 - 額定:200VAC RPM:1000 RPM 直徑 - 主體:6.93"（176.00mm） 直徑 - 軸:1.38"（35.00mm） 長度 - 軸和支架:3.15"（80.00mm） 安裝孔間距:7.87"（200.00mm） 特點:絕對式編碼器，鍵 端接類型:連接器 轉(zhuǎn)矩 - 運行（oz-in / mNm):4021.8 / 28400 轉(zhuǎn)矩 - 啟動狀態(tài) (oz-in / mNm):- 轉(zhuǎn)矩 - 停滯狀態(tài) (oz-in / mNm):- 齒輪減速比:無 電壓范圍:- 功率（瓦特）:3kW 重量:55 磅（24.9kg） 其它名稱:R88MG3K010TS2
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