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參數(shù)資料
| 型號： | M485L1624FT0-CB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM SODIMM |
| 中文描述： | 的DDR SDRAM SODIMM |
| 文件頁數(shù)： | 3/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 264K |
| 代理商： | M485L1624FT0-CB0 |
DDR SDRAM
128MB, 256MB SODIMM
Rev. 1.2 March 2004
SAMSUNG ELECTRONICS CO., Ltd. reserves the right to change products and specifications without notice.
200Pin Non ECC / ECC SODIMM based on 256Mb F-die(x16)
Ordering Information
Operating Frequencies
Part Number
Density
128MB
256MB
128MB
Organization
16M x 64
32M x 64
16M x 72
Component Composition
16Mx16 (K4H561638F) * 4EA
16Mx16 (K4H561638F) * 8EA
16Mx16 (K4H561638F) * 5EA
Height
1,250mil
1,250mil
1,250mil
M470L1624FT0-C(L)B3/A2/B0
M470L3224FT0-C(L)B3/A2/B0
M485L1624FT0-C(L)B3/A2/B0
B3(DDR333@CL=2.5)
133MHz
166MHz
2.5-3-3
A2(DDR266@CL=2)
133MHz
133MHz
2-3-3
B0(DDR266@CL=2.5)
100MHz
133MHz
2.5-3-3
Speed @CL2
Speed @CL2.5
CL-tRCD-tRP
Feature
Power supply : Vdd: 2.5V
±
0.2V, Vddq: 2.5V
±
0.2V
Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle
Bidirectional data strobe(DQS)
Differential clock inputs(CK and CK)
DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition
Programmable Read latency 2, 2.5 (clock)
Programmable Burst length (2, 4, 8)
Programmable Burst type (sequential & interleave)
Edge aligned data output, center aligned data input
Auto & Self refresh, 7.8us refresh interval(8K/64ms refresh)
Serial presence detect with EEPROM
PCB : Height 1250 (mil), single(128MB), double(256MB) sided component
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M485L1624FT0-CB3 | DDR SDRAM SODIMM |
| M470L3223DT0-CLB3 | 256MB DDR SDRAM MODULE |
| M470L3223DT0 | 256MB DDR SDRAM MODULE |
| M470L3223DT0-CA0 | 256MB DDR SDRAM MODULE |
| M470L3223DT0-CA2 | 256MB DDR SDRAM MODULE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M485L1624FT0-CB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM SODIMM |
| M485L1624FU0-CA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM SODIMM |
| M485L1624FU0-CB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM SODIMM |
| M485L1624FU0-CB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM SODIMM |
| M487X0003 | 功能描述:MOTOR BRUSHED DC ENC 174.64W 24V RoHS:是 類別:電機(jī)，螺線管 >> 電機(jī) - AC，DC 系列:M487X000X 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:OMNUC G 類型:伺服 AC 電壓 - 額定:200VAC RPM:1000 RPM 直徑 - 主體:6.93"（176.00mm） 直徑 - 軸:1.38"（35.00mm） 長度 - 軸和支架:3.15"（80.00mm） 安裝孔間距:7.87"（200.00mm） 特點:絕對式編碼器，鍵 端接類型:連接器 轉(zhuǎn)矩 - 運行（oz-in / mNm):4021.8 / 28400 轉(zhuǎn)矩 - 啟動狀態(tài) (oz-in / mNm):- 轉(zhuǎn)矩 - 停滯狀態(tài) (oz-in / mNm):- 齒輪減速比:無 電壓范圍:- 功率（瓦特）:3kW 重量:55 磅（24.9kg） 其它名稱:R88MG3K010TS2 |
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