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參數(shù)資料
| 型號： | M470T2953BY0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC |
| 中文描述： | 200pin緩沖的SODIMM基于512Mb乙芯片64位非ECC |
| 文件頁數(shù)： | 7/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 270K |
| 代理商： | M470T2953BY0 |
Rev. 1.1 Mar. 2005
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered SODIMMs
Functional Block Diagram:
1GB, 128Mx64 Module
(Populated as 2 ranks of x8 DDR2 SDRAMs)
M470T2953CZ0
DDR2 SDRAM
ODT0
S0
CKE0
S1
ODT1
CKE1
SPD
SA0
SA1
SCL
SDA
V
SS
DDR2 SDRAMs D0 - D15, SPD
V
REF
DDR2 SDRAMs D0 - D15
DDR2 SDRAMs D0 - D15, V
DD
and V
DD
Q
V
DD
V
DD
SPD
Serial PD
WP
SCL
A0
A1
A2
A0 - A13
DDR2 SDRAMs D0 - D15
RAS
DDR2 SDRAMs D0 - D15
CAS
DDR2 SDRAMs D0 - D15
WE
DDR2 SDRAMs D0 - D15
BA0 - BA1
DDR2 SDRAMs D0 - D15
10
+ 5%
10
+ 5%
DQS1
DQS1
DM1
CS0
DQ8
DQ9
DQ10
DQ12
DQ13
DQ15
I/O 0
I/O 2
I/O 3
I/O 5
I/O 6
D0
DQS
DQS0
DQS0
DM0
DQ0
DQ2
DQ3
DQ5
DQ6
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 12
I/O 13
I/O 15
DQS
DQS5
DQS5
DM5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ44
DQ45
DQ47
I/O 0
I/O 2
I/O 3
I/O 5
I/O 6
D4
DQS
DQS4
DQS4
DM4
DQ32
DQ34
DQ35
DQ37
DQ38
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 12
I/O 13
I/O 15
DQS
DQS3
DQS3
DM3
DQ24
DQ25
DQ27
DQ28
DQ30
DQ31
I/O 0
I/O 2
I/O 3
I/O 5
I/O 6
DQS
DQS2
DQS2
DM2
DQ16
DQ18
DQ19
DQ21
DQ22
I/O 8
I/O 9
I/O 11
I/O 12
I/O 14
I/O 15
DQS
DQS7
DQS7
DM7
DQ56
DQ57
DQ59
DQ60
DQ62
DQ63
I/O 0
I/O 2
I/O 3
I/O 5
I/O 6
DQS
DQS6
DQS6
DM6
DQ48
DQ50
DQ51
DQ53
DQ54
I/O 8
I/O 9
I/O 11
I/O 12
I/O 14
I/O 15
DQS
O
D
T
0
C
K
E
0
CS
1
I/O 0
I/O 2
I/O 3
I/O 5
I/O 6
D8
DQS
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 12
I/O 13
I/O 15
DQS
I/O 0
I/O 2
I/O 3
I/O 5
I/O 6
DQS
I/O 8
I/O 9
I/O 11
I/O 12
I/O 14
I/O 15
DQS
O
D
T
1
C
K
E
1
I/O 0
I/O 2
I/O 3
I/O 5
I/O 6
D12
DQS
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 12
I/O 13
I/O 15
DQS
I/O 0
I/O 2
I/O 3
I/O 5
I/O 6
DQS
I/O 8
I/O 9
I/O 11
I/O 12
I/O 14
I/O 15
DQS
CS0 O
D
T
0
C
K
E
0
CS
1
O
D
T
1
C
K
E
1
CS0
D1
D5
O
D
T
0
C
K
E
0
CS
1
D9
O
D
T
1
C
K
E
1
D13
CS0 O
D
T
0
C
K
E
0
CS
1
O
D
T
1
C
K
E
1
CS0
D2
D6
O
D
T
0
C
K
E
0
CS
1
D10
O
D
T
1
C
K
E
1
D14
CS0 O
D
T
0
C
K
E
0
CS
1
O
D
T
1
C
K
E
1
CS0
D3
D7
O
D
T
0
C
K
E
0
CS
1
D11
O
D
T
1
C
K
E
1
D15
CS0 O
D
T
0
C
K
E
0
CS
1
O
D
T
1
C
K
E
1
Notes :
1. DQ,DM, DQS/DQS resistors : 22 Ohms
±
5%.
2. BAx, Ax, RAS, CAS, WE resistors : 3.0 Ohms
±
5%.
* Wire per Clock Loading
Table/Wiring Diagrams
* Clock Wiring
Clock Input
*CK0/CK0
*CK1/CK1
DDR2 SDRAMs
8 DDR2 SDRAMs
8 DDR2 SDRAMs
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M470T3354CZ0-D5 | DDR2 Unbuffered SODIMM |
| M470T3354CZ0-E6 | DDR2 Unbuffered SODIMM |
| M470T6554CZ0-D5 | DDR2 Unbuffered SODIMM |
| M470T6554CZ0-E6 | DDR2 Unbuffered SODIMM |
| M470T2953CZ0 | DDR2 Unbuffered SODIMM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M470T2953BY0-LD5/CC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC |
| M470T2953BY3-LD5/CC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb B-die 64bit Non-ECC |
| M470T2953CZ0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SODIMM |
| M470T2953CZ0-CC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SODIMM |
| M470T2953CZ0-CCC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR2 Unbuffered SODIMM 200pin Unbuffered SODIMM based on 512Mb C-die 64bit Non-ECC |
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