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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M470L3324BT0-CLB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | DDR SDRAM Unbuffered Module 18 4 pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die |
| 中文描述： | DDR SDRAM的緩沖模塊18 4針緩沖模塊基于512Mb乙芯片 |
| 文件頁數(shù)： | 7/20頁 |
| 文件大小： | 284K |
| 代理商： | M470L3324BT0-CLB0 |
DDR SDRAM
256MB, 512MB, 1GB Unbuffered SODIMM
Rev. 0.1 June 2005
Preliminary
(Populated as 2 bank of x16 DDR SDRAM Module)
A0
Serial PD
A1
A2
SA0
SA1
SA2
SCL
WP
SDA
V
SS
D0 - D7
V
DD
/V
DDQ
D0 - D7
D0 - D7
VREF
V
DDSPD
SPD
Clock Wiring
Clock
Input
CK0/CK0
CK1/CK1
CK2/CK2
SDRAMs
4 SDRAMs
4 SDRAMs
NC
A0 - A12
A0-A12: DDR SDRAMs D0 - D7
BA0 - BA1
BA0-BA1: DDR SDRAMs D0 - D7
RAS
RAS: SDRAMs D0 - D7
CAS
CAS: SDRAMs D0 - D7
CKE0
CKE: SDRAMs D0 - D3
WE
WE: SDRAMs D0 - D7
CKE1
CKE: SDRAMs D4 - D7
Notes:
1. DQ-to-I/O wiring is shown as recom-
mended but may be changed.
2. DQ/DQS/DM/CKE/CS relationships must
be maintained as shown.
3. DQ, DQS, DM/DQS resistors: 22 Ohms.
CS0
I/0 15
I/0 14
I/0 13
I/0 12
I/0 11
I/0 10
I/0 9
I/0 8
D0
LDQS
LDM
CS
DQ 0
DQ 1
DQ 2
DQ 3
DQ 4
DQ 5
DQ 6
DQ 7
DQS0
DM0
I/0 7
I/0 6
I/0 5
I/0 4
I/0 3
I/0 2
I/0 1
I/0 0
UDQS
UDM
DQ 8
DQ 9
DQ 10
DQ 11
DQ 12
DQ 13
DQ 14
DQ 15
DQS1
DM1
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
I/0 7
D4
LDQS
LDM
CS
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
I/0 12
I/0 13
I/0 14
I/0 15
UDQS
UDM
CS1
I/0 15
I/0 14
I/0 13
I/0 12
I/0 11
I/0 10
I/0 9
I/0 8
D2
LDQS
LDM
CS
DQ 32
DQ 33
DQ 34
DQ 35
DQ 36
DQ 37
DQ 38
DQ 39
DQS4
DM4
I/0 7
I/0 6
I/0 5
I/0 4
I/0 3
I/0 2
I/0 1
I/0 0
UDQS
UDM
DQ 40
DQ 41
DQ 42
DQ 43
DQ 44
DQ 45
DQ 46
DQ 47
DQS5
DM5
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
I/0 7
D6
LDQS
LDM
CS
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
I/0 12
I/0 13
I/0 14
I/0 15
UDQS
UDM
I/0 15
I/0 14
I/0 13
I/0 12
I/0 11
I/0 10
I/0 9
I/0 8
D1
LDQS
LDM
CS
DQ 16
DQ 17
DQ 18
DQ 19
DQ 20
DQ 21
DQ 22
DQ 23
DQS2
DM2
I/0 7
I/0 6
I/0 5
I/0 4
I/0 3
I/0 2
I/0 1
I/0 0
UDQS
UDM
DQ 24
DQ 25
DQ 26
DQ 27
DQ 28
DQ 29
DQ 30
DQ 31
DQS3
DM3
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
I/0 7
D5
LDQS
LDM
CS
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
I/0 12
I/0 13
I/0 14
I/0 15
UDQS
UDM
I/0 15
I/0 14
I/0 13
I/0 12
I/0 11
I/0 10
I/0 9
I/0 8
D3
LDQS
LDM
CS
DQ48
DQ 49
DQ 50
DQ 51
DQ 52
DQ 53
DQ 54
DQ 55
DQS6
DM6
I/0 7
I/0 6
I/0 5
I/0 4
I/0 3
I/0 2
I/0 1
I/0 0
UDQS
UDM
DQ 56
DQ 57
DQ 58
DQ 59
DQ 60
DQ 61
DQ 62
DQ 63
DQS7
DM7
I/0 0
I/0 1
I/0 2
I/0 3
I/0 4
I/0 5
I/0 6
I/0 7
D7
LDQS
LDM
CS
I/0 8
I/0 9
I/0 10
I/0 11
I/0 12
I/0 13
I/0 14
I/0 15
UDQS
UDM
*Clock Net Wiring
Card
Edge
D0/D2/Cap
D1/D3/Cap
D4/D6/Cap
D5/D7/Cap
R=120
CK0/1/2
CK0/1/2
6.2 512MB, 64M x 64 Non ECC Module (M470L6524DU0)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M470L3324BT0-CLB3 | DDR SDRAM Unbuffered Module 18 4 pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die |
| M470L3324BT0-CLCC | DDR SDRAM Unbuffered Module 18 4 pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die |
| M470T2953CZ3-CD5 | 40 Characters x 4 Lines, 5x7 Dot Matrix Character and Cursor |
| M470T3354CZ3-CCC | 40 characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matric Character and Cursor |
| M470T6554CZ3-CCC | 40 characters x 2 Lines, 5x7 Dot Matric Character and Cursor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M470L3324BT0-CLB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 18 4 pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die |
| M470L3324BT0-CLCC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 18 4 pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die |
| M470L3324BTU0-CA2 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 18 4 pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die |
| M470L3324BTU0-CB0 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 18 4 pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die |
| M470L3324BTU0-CB3 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:DDR SDRAM Unbuffered Module 18 4 pin Unbuffered Module based on 512Mb B-die |
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