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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M470L3223DT0-CLB0 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256MB DDR SDRAM MODULE |
| 中文描述： | 256MB的DDR內(nèi)存模塊 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 9/16頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 171K |
| 代理商： | M470L3223DT0-CLB0 |
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M470L3223DT0
Rev. 0.0 Dec. 2001
Output Load Circuit (SSTL_2)
Output
Z0=50
C
LOAD
=30pF
V
REF
=0.5*V
DDQ
R
T
=50
V
tt
=0.5*V
DDQ
Input/Output CAPACITANCE
(V
DD
=2.5V, V
DDQ
=2.5V, T
A
= 25
°
C
,
f=1MHz)
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Input capacitance(A
0
~ A
11
, BA
0
~ BA
1
,RAS,CAS, WE )
C
IN1
36
44
pF
Input capacitance(CKE
0
)
C
IN2
36
44
pF
Input capacitance(
CS
0
)
C
IN3
34
42
pF
Input capacitance(
CLK
0
, CLK
1
)
C
IN4
34
38
pF
Data & DQS input/output capacitance(DQ
0
~DQ
63
)
C
OUT
8
9
pF
Input capacitance(DM
0
~DM
8
)
C
IN5
8
9
pF
AC OPERATING TEST CONDITIONS
(V
DD
=2.5V, V
DDQ
=2.5V, T
A
= 0 to 70
°
C
)
Parameter
Value
Unit
Note
Input reference voltage for Clock
0.5 * V
DDQ
V
Input signal maximum peak swing
1.5
V
Input Levels(V
IH
/V
IL
)
V
REF
+0.31/V
REF
-0.31
V
Input timing measurement reference level
V
REF
V
Output timing measurement reference level
V
tt
V
Output load condition
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