參數資料
型號： M40SZ100WMH6TR
廠商： 意法半導體
英文描述： RECTIFIER FAST-RECOVERY SINGLE 1A 400V 30A-ifsm 1.3V-vf 40ns 10uA-ir DO-41 5K/AMMO
中文描述： 5V或3V的LPSRAM NVRAM中督導員
文件頁數： 1/19頁
文件大?。?/td> 285K
代理商： M40SZ100WMH6TR
1/19
September 2003
Rev. 1.3
M40SZ100Y
M40SZ100W
5V or 3V NVRAM SUPERVISOR FOR LPSRAM
* Contact Local Sales Office
FEATURES SUMMARY
s
CONVERT LOW POWER SRAMs INTO
NVRAMs
s
5V OR 3V OPERATING VOLTAGE
s
PRECISION POWER MONITORING and
POWER SWITCHING CIRCUITRY
s
AUTOMATIC WRITE-PROTECTION WHEN
VCC IS OUT-OF-TOLERANCE
s
CHOICE OF SUPPLY VOLTAGES and
POWER-FAIL DESELECT VOLTAGES:
– M40SZ100Y: VCC = 4.5 to 5.5V;
4.20V
≤ VPFD ≤ 4.50V
– M40SZ100W: VCC = 2.7 to 3.6V;
2.55V
≤ VPFD ≤ 2.70V
s
RESET OUTPUT (RST) FOR POWER ON
RESET
s
1.25V REFERENCE (for PFI/PFO)
s
LESS THAN 10ns CHIP ENABLE ACCESS
PROPAGATION DELAY (at 5V)
s
OPTIONAL PACKAGING INCLUDES A 28-
LEAD SOIC and SNAPHAT TOP (to be
ordered separately)
s
28-LEAD SOIC PACKAGE PROVIDES
DIRECT CONNECTION FOR A SNAPHAT
TOP WHICH CONTAINS THE BATTERY
s
BATTERY LOW PIN (BL)
Figure 1. 16-pin SOIC Package
Figure 2. 28-pin SOIC Package*
SO16 (MQ)
16
1
SOH28 (MH)
SNAPHAT (SH)
Battery
28
1
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PDF描述
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M27C512-45XB1E 512 Kbit 64Kb x8 UV EPROM and OTP EPROM
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參數描述
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M40SZ100WMQ6E 功能描述:監(jiān)控電路 Single Low Pwr SRAM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 監(jiān)測電壓數: 監(jiān)測電壓: 欠電壓閾值: 過電壓閾值: 輸出類型:Active Low, Open Drain 人工復位:Resettable 監(jiān)視器:No Watchdog 電池備用開關:No Backup 上電復位延遲（典型值）:10 s 電源電壓-最大:5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UDFN-6 封裝:Reel
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M40SZ100WMQ6F 功能描述:監(jiān)控電路 Single Low Pwr SRAM RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 監(jiān)測電壓數: 監(jiān)測電壓: 欠電壓閾值: 過電壓閾值: 輸出類型:Active Low, Open Drain 人工復位:Resettable 監(jiān)視器:No Watchdog 電池備用開關:No Backup 上電復位延遲（典型值）:10 s 電源電壓-最大:5.5 V 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:UDFN-6 封裝:Reel
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