參數(shù)資料
型號： M38232G9-XXXHP
廠商： Renesas Technology Corp.
英文描述： 36-Mbit DDR-II SIO SRAM 2-Word Burst Architecture; Architecture: DDR-II SIO, 2 Word Burst; Density: 36 Mb; Organization: 1Mb x 36; Vcc (V): 1.7 to 1.9 V
中文描述： 單芯片8位CMOS微機
文件頁數(shù)： 28/76頁
文件大?。?/td> 896K
代理商： M38232G9-XXXHP
Rev.2.02 Jun 19, 2007 page 28 of 73
REJ03B0146-0202
3823 Group
Key Input Interrupt (Key-on wake-up)
A Key-on wake-up interrupt request is generated by applying a
falling edge to any pin of port P2 that have been set to input mode.
In other words, it is gener1ated when AND of input level goes from
“1” to “0”. An example of using a key input interrupt is shown in
Figure 21, where an interrupt request is generated by pressing
one of the keys consisted as an active-low key matrix which inputs
to ports P2
0
–P2
3
.
Fig. 21 Connection example when using key input interrupt and port P2 block diagram
Port PX
X
“L” level output
Port P2
7
direction register = “1”
P
2
7
o
u
t
p
u
t
P
2
6
o
u
t
p
u
t
P
U
L
L
r
e
g
i
s
t
e
r
A
b
i
t
2
=
“
1
”
P2
5
output
P2
4
output
P
2
3
i
n
p
u
t
Port P2
6
latch
Port P2
5
latch
Port P2
4
latch
Port P2
3
latch
Port P2
7
latch
Port P2
5
direction register = “1”
Port P2
4
direction register = “1”
P
d
o
i
r
e
t
c
P
t
i
2
3
o
r
n
r
e
g
i
s
t
e
r
=
“
0
”
P2
2
input
P
2
1
i
n
p
u
t
P2
0
input
Port P2
2
latch
Port P2
1
latch
Port P2
0
latch
Port P2
2
direction register = “0”
Port P2
1
direction register = “0”
Port P2
0
direction register = “0”
P
I
n
o
r
t
t
P
2
r
e
p
u
a
d
i
n
g
c
i
r
c
u
i
t
P-channel transistor for pull-up
CMOS output buffer
Key input interrupt request
P
d
o
i
r
e
t
c
P
t
i
2
6
o
r
n
r
e
g
i
s
t
e
r
=
“
1
”
相關PDF資料
PDF描述
M38232GA-XXXFP SINGLE-CHIP 8-BIT CMOS MICROCOMPUTER
M38232GA-XXXHP SINGLE-CHIP 8-BIT CMOS MICROCOMPUTER
M38233G9-XXXHP 36-Mbit (1M x 36/2 M x 18/512K x 72) Flow-Through SRAM with NoBL(TM) Architecture; Architecture: NoBL, Flow-through; Density: 36 Mb; Organization: 1Mb x 36; Vcc (V): 3.1 to 3.6 V
M38233GA-XXXFP SINGLE-CHIP 8-BIT CMOS MICROCOMPUTER
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參數(shù)描述
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