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參數(shù)資料
| 型號： | M36W832Te70ZA6T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| 中文描述： | 32兆位的2Mb x16插槽，引導(dǎo)塊閃存和8兆位的SRAM 512KB的x16，內(nèi)存產(chǎn)品多 |
| 文件頁數(shù)： | 1/64頁 |
| 文件大?。?/td> | 897K |
| 代理商： | M36W832TE70ZA6T |
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May 2003
M36W832TE
M36W832BE
32 Mbit (2Mb x16, Boot Block) Flash Memory
and 8 Mbit (512Kb x16) SRAM, Multiple Memory Product
FEATURES SUMMARY
I
SUPPLY VOLTAGE
– V
DDF
= 2.7V to 3.3V
– V
DDS
= V
DDQF
= 2.7V to 3.3V
– V
PPF
= 12V for Fast Program (optional)
I
ACCESS TIMES: 70ns and 85ns
I
LOW POWER CONSUMPTION
I
ELECTRONIC SIGNATURE
– Manufacturer Code: 20h
– Top Device Code, M36W832TE: 88BAh
– Bottom Device Code, M36W832BE: 88BBh
FLASH MEMORY
I
32 Mbit (2Mb x16) BOOT BLOCK
– 8 x 4 KWord Parameter Blocks (Top or
Bottom Location)
I
PROGRAMMING TIME
– 10μs typical
– Double Word Programming Option
– Quadruple Word Programming Option
I
BLOCK LOCKING
– All blocks locked at Power up
– Any combination of blocks can be locked
– WPF for Block Lock-Down
I
AUTOMATIC STANDBY MODE
I
PROGRAM and ERASE SUSPEND
I
100,000 PROGRAM/ERASE CYCLES per
BLOCK
I
COMMON FLASH INTERFACE
I
SECURITY
– 128 bit user programmable OTP cells
– 64 bit unique device identifier
Figure 1. Packages
SRAM
I
8 Mbit (512Kb x 16)
I
ACCESS TIME: 70ns
I
LOW V
DDS
DATA RETENTION: 1.5V
I
POWER DOWN FEATURES USING TWO
CHIP ENABLE INPUTS
FBGA
Stacked LFBGA66 (ZA)
12 x 8mm
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M36W832Te85ZA6S | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832Te85ZA6T | 32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36WT864 | 64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36WT864B70ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36WT864T85ZA6T | 64 Mbit 4Mb x16, Multiple Bank, Burst Flash Memory and 8 Mbit 512K x16 SRAM, Multiple Memory Product |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M36W832TE85ZA1S | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832TE85ZA1T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832TE85ZA6S | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
| M36W832TE85ZA6T | 功能描述:組合存儲器 32M (2Mx16) 85ns RoHS:否 制造商:Microchip Technology 組織:512 K x 16 電源電壓-最大: 電源電壓-最小: 最大工作溫度:+ 85 C 最小工作溫度:- 20 C 封裝 / 箱體:LFBGA-48 封裝:Tray |
| M36W832TEZA | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:32 Mbit 2Mb x16, Boot Block Flash Memory and 8 Mbit 512Kb x16 SRAM, Multiple Memory Product |
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