參數(shù)資料
型號(hào)： M366S2953MTS
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： PC133/PC100 Unbuffered DIMM
中文描述： PC133/PC100無(wú)緩沖DIMM
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大小： 135K
代理商： M366S2953MTS
PC133/PC100 Unbuffered DIMM
M366S2953MTS
REV. 0.0 Dec. 2001
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
CS1
A0 ~ An, BA0 & 1
CKE0
RAS
CAS
WE
SDRAM U0 ~ U15
SDRAM U0 ~ U15
SDRAM U0 ~ U15
SDRAM U0 ~ U15
SDRAM U0 ~ U7
10
DQn
Every DQpin of SDRAM
DQM0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQM CS
CS0
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U4
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQM5
DQM CS
DQM1
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U1
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQM CS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQM CS
DQM4
DQM2
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U2
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQM3
DQM CS
CS2
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U6
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQM7
DQM CS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U3
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQM CS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQM CS
DQM6
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U8
DQM CS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U9
DQM CS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U10
DQM CS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U11
DQM CS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U12
DQM CS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U13
DQM CS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U14
DQM CS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
U15
DQM CS
CS3
CKE1
SDRAM U8 ~ U15
10K
V
DD
V
DD
Vss
Two 0.1uF Capacitors
per each SDRAM
To all SDRAMs
U0/U1/U2/U3
U4/U5/U6/U7
10
CLK0/1/2/3
U8/U9/U10/U11
U12/U13/U14/U15
1.5pF
Serial PD
SDA
SCL
A1
A2
A0
SA1 SA2
SA0
WP
47K
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M366S2953MTS-C1L Shrink Tubing; Tubing Size Diameter:1"; Shrink Temperature:100 C; Wall Thickness Recovered Nominal:0.035"; Inner Diameter Max Recovered:0.500"; Expanded Inner Diameter:1.000"; Material:Polyolefin; Approval Bodies:UL, CSA
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