參數(shù)資料
型號： M306N0MCT-XXXFP
元件分類： 微控制器/微處理器
英文描述： 16-BIT, MROM, 20 MHz, MICROCONTROLLER, PQFP100
封裝： PLASTIC, QFP-100
文件頁數(shù)： 128/262頁
文件大?。?/td> 3298K
代理商： M306N0MCT-XXXFP
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213
Under
development
Preliminary Specifications REV.B
Specifications in this manual are tentative and subject to change.
Mitsubishi microcomputers
M16C / 6N Group
SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER
Flash Chip Memory Description
Flash Memory Modes
The M16C/6N (with on-chip flash memory) contains the DINOR (Divided bit line NOR) type of flash memory
that can be rewritten with a single voltage of 5 V or 3.3 V. For this flash memory, three flash memory modes
are available in which to read, program and erase: parallel I/O and standard serial I/O modes in which the
flash memory can be manipulated using a programmer and a CPU rewrite mode in which the flash memory
can be manipulated by the Central Processing Unit (CPU). Each mode is detailed in the pages to follow. The
flash memory is divided into several blocks as shown in Figure 22-3, so that memory can be erased one block
at a time. Each block has a lock bit to enable or disable execution of an erase or program operation, allowing
for data in each block to be protected.
In addition to ordinary user ROM area to store a microcomputer operation control program, the flash memory
has a boot ROM area that is used to store a program to rewriting in CPU rewrite and standard serial I/O mode.
This boot ROM area has a standard serial I/O mode control program stored in it when shipped from the
factory. However, the user can write a rewrite control program in this area that suits the user's application
system. This boot ROM area can be rewritten in parallel I/O mode only.
0C000016
0D000016
Block 6 : 64K byte
Block 5 : 64K byte
0E000016
Block 4 : 64K byte
0F000016
Block 3 : 32K byte
0F800016
Block 2 : 8K byte
0FA00016
Block 1 : 8K byte
Block 0 : 16K byte
0FC00016
User ROM area
8K byte
0FE00016
0FFFFF16
Boot ROM area
Note 1: The boot ROM area can be rewritten in
only parallel input/output mode. (Access
to any other areas is inhibited.)
Note 2: To specify a block, use the maximum
address in the block that is an even
address.
Type No.
Flash memory
start address
M306N0FG
0C000016
Figure 22-3. Block diagram of on-chip flash memory
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PDF描述
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