參數(shù)資料
型號(hào)： M2V64S40DTP-8L
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： 64M Synchronous DRAM
中文描述： 6400同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 21/52頁(yè)
文件大小： 674K
代理商： M2V64S40DTP-8L
Apr. '99
MITSUBISHI LSIs
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.1.2)
M2V64S20BTP-7,-7L,-8,-8L,-8A,-10,-10L (4-BANK x 4194304-WORD x 4-BIT)
M2V64S30BTP-7,-7L,-8,-8L,-8A,-10,-10L (4-BANK x 2097152-WORD x 8-BIT)
M2V64S40BTP-7,-7L,-8,-8L,-8A,-10,-10L (4-BANK x 1048576-WORD x 16-BIT)
64M bit Synchronous DRAM
21
[ Read Interrupted by Precharge ]
Burst read operation can be interrupted by precharge of
the same bank
. READ to PRE
interval is mini-mum 1 CLK. A PRE command to output disable latency is equivalent to
the /CAS Latency. As a result, READ to PRE interval determines valid data length to be
output. The figure below shows examples of BL=4.
Read Interrupted by Precharge (BL=4)
CLK
CL=3
Command
DQ
READ
PRE
Q0
Q1
Q2
Command
DQ
READ
PRE
Q0
CL=2
Command
DQ
READ
PRE
Q0
Q1
Q2
Command
DQ
READ
PRE
Q0
Command
DQ
READ PRE
Q0
Q1
Command
DQ
READ PRE
Q0
Q1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M2V64S40TP 64M bit Synchronous DRAM
M2V64S40BTP 64M bit Synchronous DRAM
M2V64S40BTP-10 64M bit Synchronous DRAM
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M30201 SINGLE-CHIP 16-BIT CMOS MICROCOMPUTER
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