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參數(shù)資料
| 型號： | M2V56S20ATP-8 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 256M Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 256M同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 14/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 239K |
| 代理商： | M2V56S20ATP-8 |
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Feb.2000
MITSUBISHI LSIs
MITSUBISHI ELECTRIC
SDRAM (Rev.1.1)
Single Data Rate
M2V56S20/ 30/ 40/ TP -6, -7, -8
256M Synchronous DRAM
14
A2
A1
A0
Initial Address BL
Sequential
Interleaved
Column Addressing
0
0
0
0
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1
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8
4
2
Command
Address
CLK
Read
Y
Write
Y
/CAS Latency
Burst Length
Burst Length
DQ
Burst Type
CL= 3
BL= 4
Q0
Q1
Q2
Q3
D0
D1
D2
D3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V56S30ATP-8 | 256M Synchronous DRAM |
| M2V56S40ATP-8 | 256M Synchronous DRAM |
| M312L2828ET0 | CTV 6C 6#20 PIN PLUG |
| M312L3223ETS | DDR SDRAM Registered Module |
| M312L6420ETS | DDR SDRAM Registered Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V56S20TP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20TP-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20TP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S20TP-8 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
| M2V56S30AKT | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:256M Synchronous DRAM |
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