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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M2V28S40TP-8 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | CA-BAYONET |
| 中文描述： | 128M的同步DRAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 28/52頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 639K |
| 代理商： | M2V28S40TP-8 |
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M2V28S20TP-6,-7,-8
M2V28S30TP-6,-7,-7L,-8,-8L
M2V28S40TP-7,-7L,-8,-8L
Jun. '99
MITSUBISHI LSIs
SDRAM (Rev. 1.0E)
128M Synchronous DRAM
(4-BANK x 8,388,608-WORD x 4-BIT)
(4-BANK x 4,194,304-WORD x 8-BIT)
(4-BANK x 2,097,152-WORD x 16-BIT)
28
DQM CONTROL
DQM is a dual function signal defined as the data mask for writes and the output disable for
reads. During writes, DQM masks input data word by word. DQM to write mask latency is 0.
During reads, DQM forces output to Hi-Z word by word. DQM to output Hi-Z latency is 2.
DQM Function
CLK
Command
DQ
Write
D0
D2
D3
DQM
READ
Q0
Q1
Q3
masked by DQM=H
disabled by DQM=H
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V28S40TP-8L | 128M Synchronous DRAM |
| M2V28S20ATP | 128M Synchronous DRAM |
| M2V28S30TP-7L | 128M Synchronous DRAM |
| M2V28S30TP-8 | 128M Synchronous DRAM |
| M2V28S30TP-8L | 128M Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V28S40TP-8L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM |
| M2V3HM6S | 制造商:Johnson Electric / Parlex Corporation 功能描述: |
| M2V3HM6SA | 制造商:Johnson Electric / Parlex Corporation 功能描述: |
| M2V3HM6SF | 制造商:Johnson Electric / Parlex Corporation 功能描述: |
| M2V40AB | 制造商:VICOR 功能描述:New |
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