參數(shù)資料
型號(hào)： M2V28S40ATP-7
廠商： Mitsubishi Electric Corporation
英文描述： 128M Synchronous DRAM
中文描述： 128M的同步DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 24/52頁(yè)
文件大?。?/td> 639K
代理商： M2V28S40ATP-7
M2V28S20TP-6,-7,-8
M2V28S30TP-6,-7,-7L,-8,-8L
M2V28S40TP-7,-7L,-8,-8L
Jun. '99
MITSUBISHI LSIs
SDRAM (Rev. 1.0E)
128M Synchronous DRAM
(4-BANK x 8,388,608-WORD x 4-BIT)
(4-BANK x 4,194,304-WORD x 8-BIT)
(4-BANK x 2,097,152-WORD x 16-BIT)
24
[ Write Interrupted by Precharge ]
Burst write operation can be interrupted by precharge of
the same bank
. Random column
access is allowed. Write recovery time (tWR) is required from the last data to PRE command.
Write Interrupted by Precharge (BL=4)
CLK
Command
A0-9
A10
BA0,1
DQ
DQM
A11
Write
Yi
0
00
PRE
0
00
ACT
Xb
Xb
00
tWR
tRP
Xb
Dai0
Dai1
Dai2
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M2V28S40ATP-7L 128M Synchronous DRAM
M2V28S40ATP-8 128M Synchronous DRAM
M2V28S40ATP-8L 128M Synchronous DRAM
M2V28S40TP 128M Synchronous DRAM
M2V28S40TP-7L 128M Synchronous DRAM
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參數(shù)描述
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M2V28S40ATP-8L 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM
M2V28S40TP 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM
M2V28S40TP-6 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM
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