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參數(shù)資料
| 型號： | M2V28S30TP-8L |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 128M Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 128M的同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 23/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 639K |
| 代理商： | M2V28S30TP-8L |
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M2V28S20TP-6,-7,-8
M2V28S30TP-6,-7,-7L,-8,-8L
M2V28S40TP-7,-7L,-8,-8L
Jun. '99
MITSUBISHI LSIs
SDRAM (Rev. 1.0E)
128M Synchronous DRAM
(4-BANK x 8,388,608-WORD x 4-BIT)
(4-BANK x 4,194,304-WORD x 8-BIT)
(4-BANK x 2,097,152-WORD x 16-BIT)
23
[ Write Interrupted by Write ]
Burst write operation can be interrupted by new write of any bank. Random column access is
allowed. WRITE to WRITE interval is minimum 1 CLK.
[ Write Interrupted by Read ]
Burst write operation can be interrupted by read of the same or the other bank. Random
column access is allowed. WRITE to READ interval is minimum 1 CLK. The input data on DQ at the
interrupting READ cycle is "don't care".
Write Interrupted by Write (BL=4)
CLK
Command
A0-9
A10
BA0,1
DQ
Write
Yi
0
00
Write
Yk
0
10
Dai0
Daj0
Daj1
Dbk0
Write
Yj
0
00
Dbk1 Dbk2
Write
Yl
0
00
Dal0
Dal1
Dal2
Dal3
A11
Write Interrupted by Read (BL=4, CL=3)
CLK
Command
A0-9
A10
BA0,1
DQ
Write
Yi
0
00
Qaj0
READ
Yj
0
00
Qaj1
Dai0
Dbk0 Dbk1
DQM
Write
Yk
0
10
READ
Yl
0
00
Qal0
A11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V28S20ATP-6 | 128M Synchronous DRAM |
| M2V28S20ATP-6L | 128M Synchronous DRAM |
| M2V28S20ATP-7 | 128M Synchronous DRAM |
| M2V28S20ATP-7L | 128M Synchronous DRAM |
| M2V28S20ATP-8 | 128M Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V28S40ATP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM |
| M2V28S40ATP-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM |
| M2V28S40ATP-6L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM |
| M2V28S40ATP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM |
| M2V28S40ATP-7L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM |
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