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參數(shù)資料
| 型號： | M2V28S30ATP-8 |
| 廠商： | Mitsubishi Electric Corporation |
| 英文描述： | 128M Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 128M的同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 43/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 639K |
| 代理商： | M2V28S30ATP-8 |
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M2V28S20TP-6,-7,-8
M2V28S30TP-6,-7,-7L,-8,-8L
M2V28S40TP-7,-7L,-8,-8L
Jun. '99
MITSUBISHI LSIs
SDRAM (Rev. 1.0E)
128M Synchronous DRAM
(4-BANK x 8,388,608-WORD x 4-BIT)
(4-BANK x 4,194,304-WORD x 8-BIT)
(4-BANK x 2,097,152-WORD x 16-BIT)
43
Write Interrupted by Precharge @BL=4
/CS
/RAS
/CAS
/WE
CKE
BA0,1
DQ
X
X
X
0
Y
0
D0
D0
D0
D0
ACT#0
WRITE#0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
tRCD
WRITE#1
CLK
X
X
X
1
tRRD
1
D1
D1
D1
D1
D1
ACT#1
Y
1
1
Y
Burst Write is not interrupted
by Precharge of the other bank.
0
X
X
X
1
PRE#1
PRE#0
ACT#1
WRITE#1
Burst Write is interrupted by
Precharge of the same
bank.
Italic parameter
indicates minimum case
A0-8
A10
DQM
A9,11
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M2V28S30ATP-8L | 128M Synchronous DRAM |
| M2V28S30TP | 128M Synchronous DRAM |
| M2V28S40ATP | 128M Synchronous DRAM |
| M2V28S40ATP-6 | 128M Synchronous DRAM |
| M2V28S40ATP-6L | 128M Synchronous DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M2V28S30ATP-8L | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM |
| M2V28S30AVP-7 | 制造商:Mitsubishi Electric 功能描述: |
| M2V28S30TP | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM |
| M2V28S30TP-6 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM |
| M2V28S30TP-7 | 制造商:MITSUBISHI 制造商全稱:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:128M Synchronous DRAM |
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