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參數(shù)資料
| 型號： | M29W160EB |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（含2Mb x8或1兆x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 35/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 665K |
| 代理商： | M29W160EB |
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M29W160ET, M29W160EB
Figure 17. Programmer Equipment Block Protect Flowchart
Note: 1. Address Inputs A19-A12 give the address of the block that is to be protected. It is imperative that they remain stable during the
operation.
2. During the Protect and Verify phases of the algorithm, Chip Enable E must be kept Low, V
IL
.
ADDRESS = BLOCK ADDRESS
AI03469b
G, A9 = VID,
E = VIL
n = 0
Wait 4μs
Wait 100μs
W = VIL
(1)
W = VIH
E, G = VIH,
A0, A6 = VIL,
A1 = VIH
A9 = VIH
E, G = VIH
++n
= 25
START
FAIL
PASS
YES
NO
DATA
=
01h
YES
NO
W = VIH
E = VIL
(1)
Wait 4μs
G = VIL
Wait 60ns
Read DATA
V
P
S
E
A9 = VIH
E, G = VIH
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M29W160EB70N6F | 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W160EB70N6T | CAP 3300UF 6.3V ELECT FC RADIAL |
| M29W160EB70ZA6 | 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W160EB70ZA6E | 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M29W160EB70ZA6F | 16 Mbit (2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M29W160EB70D11 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:PARALLEL NOR - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| M29W160EB70N1 | 功能描述:閃存 2Mx8 or 1Mx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W160EB70N1T | 功能描述:閃存 2Mx8 or 1Mx16 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M29W160EB70N3E | 功能描述:IC FLASH 16MB 70NS 3V 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| M29W160EB70N3F | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 3V 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Axcell™ 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
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