參數(shù)資料
型號： M29W160EB70N6
廠商： 意法半導體
英文描述： CLAMP
中文描述： 16兆位（含2Mb x8或1兆x16插槽，引導塊）3V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 21/40頁
文件大?。?/td> 665K
代理商： M29W160EB70N6
21/40
M29W160ET, M29W160EB
Table 11. DC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
Symbol
Parameter
Test Condition
Min
Typ
Max
Unit
I
LI
Input Leakage Current
0V
≤
V
IN
≤
V
CC
±1
μ
A
I
LO
Output Leakage Current
0V
≤
V
OUT
≤
V
CC
±1
μ
A
I
CC1
Supply Current (Read)
E = V
IL
, G = V
IH
,
f = 6MHz
4.5
10
mA
I
CC2
Supply Current (Standby)
E = V
CC
±0.2V,
RP = V
CC
±0.2V
35
100
μ
A
I
CC3
(1)
Supply Current
(Program/Erase)
Program/Erase
Controller active
20
mA
V
IL
Input Low Voltage
–0.5
0.8
V
V
IH
Input High Voltage
0.7V
CC
V
CC
+0.3
V
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= 1.8mA
0.45
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= –100
μ
A
V
CC
–0.4
V
V
ID
Identification Voltage
11.5
12.5
V
I
ID
Identification Current
A9 = V
ID
100
μ
A
V
LKO
Program/Erase Lockout
Supply Voltage
1.8
2.3
V
相關PDF資料
PDF描述
M29W160EB70N6E CLAMP
M29W160 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W160BB120M1T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W160BB120M6T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
M29W160BB120N1T 16 Mbit 2Mb x8 or 1Mb x16, Boot Block Low Voltage Single Supply Flash Memory
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參數(shù)描述
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M29W160EB70N6F_ 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: 制造商:STMicroelectronics 功能描述:
M29W160EB70N6T 功能描述:閃存 STD FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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