- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄359017 > M28W160ECT70ZB6F (意法半導(dǎo)體) 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M28W160ECT70ZB6F |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| 中文描述： | 16兆位（1兆x16插槽，引導(dǎo)塊）3V電源快閃記憶體 |
| 文件頁數(shù)： | 23/50頁 |
| 文件大?。?/td> | 860K |
| 代理商： | M28W160ECT70ZB6F |
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M28W160ECT, M28W160ECB
Figure 9. Read Mode AC Waveforms
Table 15. Read AC Characteristics
Note: 1. Sampled only, not 100% tested.
2. G may be delayed by up to t
ELQV
- t
GLQV
after the falling edge of E without increasing t
ELQV
.
Symbol
Alt
Parameter
M28W160EC
Unit
70
85
90
100
t
AVAV
t
RC
Address Valid to Next Address Valid
Min
70
85
90
100
ns
t
AVQV
t
ACC
Address Valid to Output Valid
Max
70
85
90
100
ns
t
AXQX
(1)
t
OH
Address Transition to Output Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
EHQX
(1)
t
OH
Chip Enable High to Output Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
EHQZ
(1)
t
HZ
Chip Enable High to Output Hi-Z
Max
20
20
25
30
ns
t
ELQV
(2)
t
CE
Chip Enable Low to Output Valid
Max
70
85
90
100
ns
t
ELQX
(1)
t
LZ
Chip Enable Low to Output Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
GHQX
(1)
t
OH
Output Enable High to Output Transition
Min
0
0
0
0
ns
t
GHQZ
(1)
t
DF
Output Enable High to Output Hi-Z
Max
20
20
25
30
ns
t
GLQV
(2)
t
OE
Output Enable Low to Output Valid
Max
20
20
30
35
ns
t
GLQX
(1)
t
OLZ
Output Enable Low to Output Transition
Min
0
0
0
0
ns
DQ0-DQ15
AI03813b
VALID
A0-A19
E
tAXQX
tAVAV
VALID
tAVQV
tELQV
tELQX
tGLQV
tGLQX
ADDR. VALID
CHIP ENABLE
OUTPUTS
ENABLED
DATA VALID
STANDBY
G
tGHQX
tGHQZ
tEHQX
tEHQZ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M28W160ECT70ZB6S | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT70ZB6T | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT70ZB6U | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT85N1E | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT85N1F | 16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M28W160ECT70ZB6S | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT70ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT70ZB6U | 功能描述:IC FLASH 16MBIT 70NS 46TFBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ |
| M28W160ECT85N1 | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
| M28W160ECT85N1E | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:16 Mbit (1Mb x16, Boot Block) 3V Supply Flash Memory |
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