參數(shù)資料
型號: M25PE80-VMP6T
廠商: 意法半導(dǎo)體
元件分類: DRAM
英文描述: 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
中文描述: 4兆位統(tǒng)一部門,串行閃存
文件頁數(shù): 31/43頁
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代理商: M25PE80-VMP6T
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M25PE80
Table 10. Power-Up Timing and V
WI
Threshold
Symbol
Note: 1. These parameters are characterized only, over the temperature range –40°C to +85°C.
INITIAL DELIVERY STATE
The device is delivered with the memory array
erased: all bits are set to 1 (each Byte contains
FFh). All usable Status Register bits are 0.
Parameter
Min.
Max.
Unit
t
VSL1
V
CC
(min) to S low
30
μs
t
PUW1
Time delay before the first Write, Program or Erase instruction
1
10
ms
V
WI1
Write Inhibit Voltage
1.5
2.5
V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M25PE80-VMP6TG 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M25PE80-VMP6TP 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M25PE80 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M25PE80-VMP6 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M25PE80-VMW6TG 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M25PE80-VMP6TG 功能描述:閃存 SERIAL PAGE ERASE FLASH 8 Mbit Datas RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M25PE80-VMP6TP 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout
M25PE80-VMS6G 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Serial-SPI 3.3V 8Mbit 1M x 8bit 8ns 8-Pin QFN Tray
M25PE80-VMS6P 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:8-Mbit, page-erasable serial flash memory with byte alterability, 75 MHz SPI bus, standard pinout
M25PE80-VMS6TG 功能描述:IC FLASH 8MBIT 75MHZ 8QFN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:Forté™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ