參數(shù)資料
型號(hào)： M25P40-VMP6TG
廠商： 意法半導(dǎo)體
元件分類： DRAM
英文描述： 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
中文描述： 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存
文件頁(yè)數(shù)： 1/40頁(yè)
文件大小： 232K
代理商： M25P40-VMP6TG
1/40
August 2004
M25P40
4 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory
With 40MHz SPI Bus Interface
FEATURES SUMMARY
4 Mbit of Flash Memory
Page Program (up to 256 Bytes) in 1.5ms
(typical)
Sector Erase (512 Kbit) in 1s (typical)
Bulk Erase (4 Mbit) in 4.5s (typical)
2.7 to 3.6V Single Supply Voltage
SPI Bus Compatible Serial Interface
40MHz Clock Rate (maximum)
Deep Power-down Mode 1
μ
A (typical)
Electronic Signature (12h)
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Figure 1. Packages
SO8 (MN)
150 mil width
8
1
VDFPN8 (MP)
(MLP8)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M25P40-VMP6TP 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
M25SI Thin Film, Rectangular, Fusible, Resistor Chips
M27256-F1 NMOS 256K 32K x 8 UV EPROM
M27256-F6 NMOS 256K 32K x 8 UV EPROM
M2732A-20F1 NMOS 32K 4K x 8 UV EPROM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M25P40-VMP6TG/TS 功能描述:IC FLASH 4MBIT 50MHZ 8VFQFPN RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:Forté™ 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
M25P40-VMP6TG/X 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:4 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface
M25P40-VMP6TGB 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Serial-SPI 2.5V/3.3V 4Mbit 512K x 8bit 8ns 8-Pin VFQFPN EP T/R 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SERIAL NOR - Tape and Reel 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:4MBIT SPI NOR FLASH 制造商:Micron Technology 功能描述:NOR Flash Serial-SPI 2.5V/3.3V 4Mbit 512K x 8bit 8ns 8-Pin VFQFPN EP T/R
M25P40-VMP6TGB TR 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:IC FLASH 4MBIT 75MHZ 8VFDFPN
M25P40-VMP6TGB/T 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SERIAL NOR - Tape and Reel
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