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參數(shù)資料
| 型號： | M25P40-VMN6TG |
| 廠商： | 意法半導體 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 27/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 232K |
| 代理商： | M25P40-VMN6TG |
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M25P40
Figure 20. Power-up Timing
Table 7. Power-Up Timing and V
WI
Threshold
Symbol
Note: 1. These parameters are characterized only.
INITIAL DELIVERY STATE
The device is delivered with the memory array
erased: all bits are set to 1 (each byte contains
FFh). The Status Register contains 00h (all Status
Register bits are 0).
Parameter
Min.
Max.
Unit
t
VSL1
V
CC
(min) to S low
10
μs
t
PUW1
Time delay to Write instruction
1
10
ms
V
WI1
Write Inhibit Voltage
1
2
V
VCC
AI04009C
VCC(min)
VWI
Reset State
of the
Device
Chip Selection Not Allowed
Program, Erase and Write Commands are Rejected by the Device
tVSL
tPUW
time
Read Access allowed
Device fully
accessible
VCC(max)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25P40-VMN6TP | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40-VMP3 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40-VMP3G | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40-VMP3P | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40-VMP3T | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
相關代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M25P40-VMN6TG/X | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:4 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface |
| M25P40VMN6TP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface |
| M25P40-VMN6TP | 功能描述:閃存 SERIAL SECTOR ERASE FLASH 4MEG RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel |
| M25P40-VMN6TP/X | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:4 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface |
| M25P40-VMN6TP_NUD | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
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