- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄383292 > M25P40-VMN3T (意法半導(dǎo)體) 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | M25P40-VMN3T |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| 中文描述： | 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 31/40頁 |
| 文件大?。?/td> | 232K |
| 代理商： | M25P40-VMN3T |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁當(dāng)前第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁
31/40
M25P40
Table 14. Instruction Times (Device Grade 6)
Table 15. Instruction Times (Device Grade 3)
Note: 1. At 85°C
2. This is preliminary data
Table 16. AC Measurement Conditions
Note: Output Hi-Z is defined as the point where data out is no longer driven.
Figure 21. AC Measurement I/O Waveform
Test conditions specified in
Table 9.
and
Table 16.
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
Typ.
Max.
Unit
t
W
Write Status Register Cycle Time
5
15
ms
t
PP
Page Program Cycle Time
1.4
5
ms
t
SE
Sector Erase Cycle Time
1
3
s
t
BE
Bulk Erase Cycle Time
4.5
10
s
Test conditions specified in
Table 9.
and
Table 16.
Symbol
Alt.
Parameter
Min.
Typ.
1,2
Max.
2
Unit
t
W
Write Status Register Cycle Time
8
15
ms
t
PP
Page Program Cycle Time
1.5
5
ms
t
SE
Sector Erase Cycle Time
1
3
s
t
BE
Bulk Erase Cycle Time
4.5
10
s
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Unit
C
L
Load Capacitance
30
pF
Input Rise and Fall Times
5
ns
Input Pulse Voltages
0.2V
CC
to 0.8V
CC
V
Input Timing Reference Voltages
0.3V
CC
to 0.7V
CC
V
Output Timing Reference Voltages
V
CC
/ 2
V
AI07455
0.8VCC
0.2VCC
0.7VCC
0.5VCC
0.3VCC
Input and Output
Timing Reference Levels
Input Levels
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M25P40-VMN3TG | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40-VMN3TP | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40-VMN6 | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40-VMN6G | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
| M25P40-VMN6P | 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M25P40VMN3TG | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface |
| M25P40-VMN3TG | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40MHz SPI Bus Interface |
| M25P40-VMN3TG/X | 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:4 Mbit, low voltage, serial Flash memory with 50 MHz SPI bus interface |
| M25P40VMN3TP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface |
| M25P40-VMN3TP | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:4 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40MHz SPI Bus Interface |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。