參數(shù)資料
型號： M25P20-VMP6
廠商： 意法半導體
元件分類： DRAM
英文描述： 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
中文描述： 4兆位統(tǒng)一部門，串行閃存
文件頁數(shù)： 3/39頁
文件大小： 230K
代理商： M25P20-VMP6
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M25P20
Write Disable (WRDI). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Figure 9. Write Disable (WRDI) Instruction Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Read Status Register (RDSR). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
Table 5. Status Register Format . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
WIP bit. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
WEL bit . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
BP1, BP0 bits . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
SRWD bit. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 14
Figure 10.Read Status Register (RDSR) Instruction Sequence and Data-Out Sequence . . . . . . . 14
Write Status Register (WRSR) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
Figure 11.Write Status Register (WRSR) Instruction Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15
Table 6. Protection Modes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 16
Read Data Bytes (READ). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
Figure 12.Read Data Bytes (READ) Instruction Sequence and Data-Out Sequence . . . . . . . . . . . 17
Read Data Bytes at Higher Speed (FAST_READ). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18
Figure 13.Read Data Bytes at Higher Speed (FAST_READ) Instruction Sequence and Data-Out Se-
quence
18
Page Program (PP) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
Figure 14.Page Program (PP) Instruction Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19
Sector Erase (SE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Figure 15.Sector Erase (SE) Instruction Sequence. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20
Bulk Erase (BE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
Figure 16.Bulk Erase (BE) Instruction Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21
Deep Power-down (DP). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
Figure 17.Deep Power-down (DP) Instruction Sequence . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 22
Release from Deep Power-down and Read Electronic Signature (RES) . . . . . . . . . . . . . . . . . 23
Figure 18.Release from Deep Power-down and Read Electronic Signature (RES) Instruction Se-
quence and Data-Out Sequence23
Figure 19.Release from Deep Power-down (RES) Instruction Sequence. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24
POWER-UP AND POWER-DOWN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
Figure 20.Power-up Timing . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
Table 7. Power-Up Timing and VWI Threshold. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
INITIAL DELIVERY STATE. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26
MAXIMUM RATING. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
Table 8. Absolute Maximum Ratings. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 27
DC AND AC PARAMETERS. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
Table 9. Operating Conditions. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
Table 10. Data Retention and Endurance . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
Table 11. Capacitance. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 28
Table 12. DC Characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
Table 13. DC Characteristics (Device Grade 3) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
Table 14. Instruction Times (Device Grade 6). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30
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M25P40-VMN3G 4 Mbit Uniform Sector, Serial Flash Memory
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參數(shù)描述
M25P20VMP6G 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface
M25P20-VMP6G 功能描述:閃存 2 Mbit Lo Vltg Seral 閃存 Memory RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M25P20-VMP6G/X 制造商:NUMONYX 制造商全稱:Numonyx B.V 功能描述:2 Mbit, low voltage, Serial Flash memory with 50MHz SPI bus interface
M25P20-VMP6GB 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NOR Flash Serial-SPI 3.3V 2Mbit 256K x 8bit 8ns 8-Pin VFQFPN EP Tray 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SERIAL NOR - Trays 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH SERIAL 2MBIT 8VPDFN 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH, SERIAL, 2MBIT, 8VPDFN 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:FLASH, SERIAL, 2MBIT, 8VPDFN; Memory Type:Flash - NOR; Memory Size:2Mbit; Memory Configuration:256K x 8bit; Supply Voltage Min:2.3V; Supply Voltage Max:3.6V; Memory Case Style:DFN; No. of Pins:8; Clock Frequency:75MHz; Interface ;RoHS Compliant: Yes
M25P20VMP6P 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:512 Kbit to 32 Mbit, Low Voltage, Serial Flash Memory With 40 MHz or 50 MHz SPI Bus Interface
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