參數(shù)資料
型號(hào)： M1T1HT18PZ32E
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： High Speed Pipelined 1-Mbit (32Kx32) Standard 1T-SRAM?? Embedded Memory Macro
中文描述： 高速流水線的1 - Mbit（32Kx32）標(biāo)準(zhǔn)的1T - SRAM？？嵌入式內(nèi)存宏
文件頁數(shù)： 1/6頁
文件大?。?/td> 138K
代理商： M1T1HT18PZ32E
High Speed Pipelined 1-Mbit (32Kx32)
Standard 1T-SRAM
Embedded Memory Macro
M1T1HT18PZ32E
M1T1HT18PZ32E Rev 2.doc
Page 1
2004 MoSys Inc., All Rights Reserved, 1020 Stewart Drive, Sunnyvale, CA 94085
High Performance 1T-SRAM Standard Macro
200 MHz operation
1-Clock cycle time
Pipelined read access timing
Late-late write mode timing
32-Bit wide data buses
Byte Write Enables
Simple standard SRAM interface
Fast delivery
Ultra-Dense Memory
3.8mm
2
size per macro instance
Redundancy & fuses included in macro area
Silicon-Proven 1T-SRAM Technology
Qualification programs completed
Products in volume production
High Yield and Reliability
Built-in redundancy for enhanced yield
Standard Logic Process
TSMC 0.18μm CL018G process
Logic design rules
Uses 4 metal layers
Routing over macro possible in layers 5+
Power
Single voltage 1.8V Supply
Low power consumption
General Description
The M1T1HT18PZ32E macro is a 1Mbit (1,084,576 bits), high speed, embedded 1T-SRAM macro. The macro
is organized as 32K(32,768) words of 32 bits. The macro employs a pipelined read timing interface with late
write timing. Write control over individual bytes in the input data is achieved through the use of the byte write
enable (bweb) input signals. The macro is implemented using MoSys 1T -SRAM technology, resulting in
extremely high density and performance.
din[31:0]
dout[31:0]
adr[14:0]
clk
rdb
wrb
rstb
mvdd
mvddcore
mvsscore
mvss
bweb[3:0]
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PDF描述
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