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參數(shù)資料
| 型號： | M12L2561616A |
| 廠商： | Elite Semiconductor Memory Technology Inc. |
| 英文描述： | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| 中文描述： | 4米× 16位× 4個銀行同步DRAM |
| 文件頁數(shù)： | 1/44頁 |
| 文件大?。?/td> | 908K |
| 代理商： | M12L2561616A |
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ES MT
M12L2561616A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
Revision
:
1.2
Publication Date
:
Aug. 2007
1/44
SDRAM
4M x 16 Bit x 4 Banks
Synchronous DRAM
FEATURES
y
JEDEC standard 3.3V power supply
y
LVTTL compatible with multiplexed address
y
Four banks operation
y
MRS cycle with address key programs
- CAS Latency ( 2 & 3 )
- Burst Length ( 1, 2, 4, 8 & full page )
- Burst Type ( Sequential & Interleave )
y
All inputs are sampled at the positive going edge of the
system clock
y
Burst Read single write operation
y
DQM for masking
y
Auto & self refresh
y
64ms refresh period (8K cycle)
GENERAL DESCRIPTION
The M12L2561616A is 268,435,456 bits synchronous high data rate Dynamic RAM organized as 4 x 4,194,304 words by 16 bits.
Synchronous design allows precise cycle control with the use of system clock I/O transactions are possible on every clock cycle.
Range of operating frequencies, programmable burst length and programmable latencies allow the same device to be useful for a
variety of high bandwidth, high performance memory system applications.
Pin Arrangement
ORDERING INFORMATION
PRODUCT NO.
MAX FREQ. PACKAGE
COMMENTS
M12L2561616A-6TG
166MHz
TSOP II
Pb-free
M12L2561616A-6BG
166MHz
BGA
Pb-free
M12L2561616A-7TG
143MHz
TSOP II
Pb-free
M12L2561616A-7BG
143MHz
BGA
Pb-free
1
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DDQ
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SSQ
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WE
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BA1
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/AP
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A
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SSQ
DQ14
DQ13
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DDQ
DQ12
DQ11
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SSQ
DQ10
DQ9
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DDQ
DQ8
V
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NC
UDQM
CLK
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A
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A
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A
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SS
VSS
DQ15
DQ14
DQ13
DQ12
DQ11
DQ10
DQ9
DQ8
NC
UDQM
CLK
A12
A11
A8
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VSS
A5
VDDQ
DQ0
VSSQ
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VDDQ
DQ4
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LDQM
CAS
RAS
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VSSQ
VDDQ
VSSQ
VDDQ
VSS
CKE
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DQ1
DQ3
DQ7
WE
CS
A10
VDD
VSSQ
DQ6
DQ5
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M12L2561616A-6BG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A-6TG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A-7BG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A-7TG | 4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L32162A | 1M x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M12L2561616A_08 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A_1 | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:4M x 16 Bit x 4 Banks Synchronous DRAM |
| M12L2561616A2K | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:JEDEC standard 3.3V power supply |
| M12L2561616A-5BG2K | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:JEDEC standard 3.3V power supply |
| M12L2561616A-5TG2K | 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:JEDEC standard 3.3V power supply |
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