參數(shù)資料
型號(hào)： M12L16161A-4.3T
廠商： Electronic Theatre Controls, Inc.
英文描述： CONNECTOR ACCESSORY
中文描述： 連接器附件
文件頁數(shù)： 17/27頁
文件大小： 566K
代理商： M12L16161A-4.3T
M12L16161A
Elite Semiconductor Memory Technology Inc.
P.
17
Publication Date : J an. 2000
Revision : 1.3u
Page Write Cycle at Different Bank @Burst Length = 4
*Note: 1.To interrupt burst write by Row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.
2.To interrupt burst write by row precharge, both the write and the precharge banks must be the same.
0
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18
19
CLOCK
CKE
CS
RAS
CAS
BA
ADDR
A10/ AP
WE
DQM
HIGH
Row Active
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Write
(A-Bank)
Precharge
(Both Banks)
: Don't care
DQ
Write
(A-Bank)
Write
(B-Bank)
Write
(B-Bank)
DAa0 DAa1 DAa2
DAa3 DBb0
DBb1 DBb2 DBb3
DAc0
DAc1 DBd0
DBd1
RAa
RBb
RAa
CAa
RBb
CBb
CAc
CBd
*Note2
t
CDL
t
RDL
*Note1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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M12L16161A-5T 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
M12L16161A-6T 512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
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參數(shù)描述
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M12L16161A-5T 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks Synchronous DRAM
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M12L16161A-5TG2Q 制造商:ESMT 制造商全稱:Elite Semiconductor Memory Technology Inc. 功能描述:512K x 16Bit x 2Banks
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