參數(shù)資料
型號(hào): LZ1418E100R
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN microwave power transistor
中文描述: L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝: METAL CERAMIC, SOT-443A, 3 PIN
文件頁數(shù): 3/12頁
文件大?。?/td> 66K
代理商: LZ1418E100R
1997 Feb 18
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LZ1418E100R
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CER
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
T
sld
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
operating junction temperature
soldering temperature
open emitter
R
BE
= 220
open base
open collector
65
45
30
20
3
4
45
+200
200
235
V
V
V
V
A
W
°
C
°
C
°
C
T
mb
75
°
C
at 0.2 mm from flange;
t
10 s
T
mb
75
°
C.
(1) Region of permissible DC operation.
(2) Permissible extension provided R
BE
220
.
Fig.2 DC SOAR.
handbook, halfpage
MGL003
1
10
VCE (V)
IC
(A)
10
2
1
10
1
10
2
(1)
(2)
Fig.3
Power derating curve.
handbook,
0
50
100
200
50
0
40
150
30
20
10
MGD970
Ptot
(W)
Tmb (
°
C)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LZ1440 Interface IC
LZ2018 Linear CCD Image Array
LZ2019 Linear CCD Image Array
LZ2111J Area CCD Image Array
LZ2112J Area CCD Image Array
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LZ1418E100R,114 功能描述:射頻雙極電源晶體管 NPN MICROWAVE POWER TRANSISTOR RoHS:否 制造商:M/A-COM Technology Solutions 配置:Single 直流集電極/Base Gain hfe Min:40 最大工作頻率:30 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:25 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:4 V 集電極連續(xù)電流:20 A 最大直流電集電極電流: 功率耗散:250 W 封裝 / 箱體:Case 211-11 封裝:Tray
LZ1440 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Interface IC
LZ15V 制造商:YEASHIN 制造商全稱:YEASHIN 功能描述:500 mW LL-34 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators
LZ16V 制造商:YEASHIN 制造商全稱:YEASHIN 功能描述:500 mW LL-34 Hermetically Sealed Glass Zener Voltage Regulators
LZ-18 功能描述:通用繼電器 POWER RoHS:否 制造商:Omron Electronics 觸點(diǎn)形式:1 Form A (SPST-NO) 觸點(diǎn)電流額定值:150 A 線圈電壓:24 VDC 線圈電阻:144 Ohms 線圈電流:167 mA 切換電壓:400 V 安裝風(fēng)格:Chassis 觸點(diǎn)材料: