參數(shù)資料
型號(hào)： LXE18400X
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： NPN microwave power transistor
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
文件頁(yè)數(shù)： 7/12頁(yè)
文件大小： 93K
代理商： LXE18400X
1999 Apr 22
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LXE18400X
Fig.6 Load power as a function of input power.
(1) I
CQ
= 75 mA.
(2) I
CQ
= 150 mA.
(3) I
CQ
= 300 mA.
V
CE
= 24 V; f = 1850 MHz.
handbook, halfpage
0
2
4
6
8
10
20
0
40
MLC438
PL
(W)
Pi
(3)
(2)
(1)
Fig.7
Intermodulation distortion as a function
of average output power.
V
CE
= 24 V; f
1
= 1850 MHz; f
2
= 1850.2 MHz.
handbook, halfpage
MLC439
(dBc)
0
10
20
40
20
45
25
30
30
35
40
300 mA
ICQ
150 mA
Po (av)
75 mA
Input and optimum load impedances
V
CE
= 24 V; I
CQ
= 0.15 mA; typical values at P
L
= P
L1
(see Figs 8 and 9).
f
(GHz)
Z
i
(
)
Z
L
(
)
1.70
1.85
2.00
5.4 + j7.2
8.3 + j0.7
2.1 + j0.2
3.3
j0.3
2.4
j1.0
2.2
j1.0
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