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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LTE42005S |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 中文描述： | C BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | METAL CERAMIC, SOT-440A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/10頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | LTE42005S |
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of June 1992
1997 Feb 21
DISCRETE SEMICONDUCTORS
LTE42005S
NPN microwave power transistor
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LTE42008R | NPN microwave power transistor |
| LTE42012R | NPN microwave power transistor |
| LTL2300HR | Optoelectronic |
| LTL2600HR | Optoelectronic |
| LTL2655HR | Optoelectronic |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LTE42008R | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor |
| LTE42012R | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN microwave power transistor |
| LTE4206 | 制造商:LITEON 制造商全稱:Lite-On Technology Corporation 功能描述:SELECTED TO SPECIFIC ON-LINE INTENSITY AND RADIANT INTENSITY RANGES |
| LTE-4206 | 功能描述:紅外發(fā)射源 Infrared 940nm RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 波長:880 nm 射束角:+/- 25 輻射強(qiáng)度: 最大工作溫度:+ 100 C 最小工作溫度:- 40 C 封裝 / 箱體:Side Looker 封裝:Bulk |
| LTE-4206_1 | 制造商:LITEON 制造商全稱:Lite-On Technology Corporation 功能描述:PHOTOTRANSISTOR |
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