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參數(shù)資料
型號(hào)： LM555CMX
廠(chǎng)商： Fairchild Semiconductor
文件頁(yè)數(shù)： 7/13頁(yè)
文件大?。?/td> 0K
描述： IC OSC MONO TIMING 8-SOP
標(biāo)準(zhǔn)包裝： 1
類(lèi)型： 555 型，計(jì)時(shí)器/振蕩器（單路）
電源電壓： 4.5 V ~ 16 V
電流 - 電源： 7.5mA
工作溫度： 0°C ~ 70°C
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
包裝： 標(biāo)準(zhǔn)包裝
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SOIC
安裝類(lèi)型： 表面貼裝
其它名稱(chēng)： LM555CMXFSDKR
LM555
—
Single
T
imer
2002 Fairchild Semiconductor Corporation
www.fairchildsemi.com
LM555 Rev. 1.1.0
3
Electrical Characteristics
Values are at TA = 25°C, VCC = 5 ~ 15 V unless otherwise specified.
Notes:
1. When the output is high, the supply current is typically 1 mA less than at VCC = 5 V.
2. Tested at VCC = 5.0 V and VCC = 15 V.
3. These parameters, although guaranteed, are not 100% tested in production.
4.
This determines the maximum value of RA + RB for 15 V operation, the maximum total R = 20 MΩ, and for 5 V
operation, the maximum total R = 6.7 M
Ω.
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Supply Voltage
VCC
4.5
16.0
V
Supply Current (Low Stable) (1)
ICC
VCC = 5 V, RL = ∞
36
mA
VCC = 15 V, RL = ∞
7.5
15.0
mA
Timing Error (Monostable)
Initial Accuracy (2)
ACCUR
RA = 1 kΩ to100 kΩ
C = 0.1
μF
1.0
3.0
%
Drift with Temperature (3)
Δt / ΔT50
ppm / °C
Drift with Supply Voltage (3)
Δt / ΔVCC
0.1
0.5
% / V
Timing Error (Astable)
InItial Accuracy (2)
ACCUR
RA = 1 kΩ to 100kΩ
C = 0.1
μF
2.25
%
Drift with Temperature (3)
Δt / ΔT
150
ppm / °C
Drift with Supply Voltage (3)
Δt / ΔVCC
0.3
% / V
Control Voltage
VC
VCC = 15 V
9.0
10.0
11.0
V
VCC = 5 V
2.60
3.33
4.00
V
Threshold Voltage
VTH
VCC = 15 V
10.0
V
VCC = 5V
3.33
V
Threshold Current (4)
ITH
0.10
0.25
μA
Trigger Voltage
VTR
VCC = 5 V
1.101.672.20
V
VCC = 15 V
4.5
5.0
5.6
V
Trigger Current
ITR
VTR = 0 V
0.01
2.00
μA
Reset Voltage
VRST
0.4
0.7
1.0
V
Reset Current
IRST
0.1
0.4
mA
Low Output Voltage
VOL
VCC = 15 V
ISINK = 10 mA
0.06
0.25
V
ISINK = 50 mA
0.30
0.75
V
VCC = 5 V, ISINK = 5 mA
0.05
0.35
V
High Output Voltage
VOH
VCC = 15 V
ISOURCE = 200 mA
12.5
V
ISOURCE = 100 mA
12.75
13.30
V
VCC = 5 V, ISOURCE = 100 mA
2.75
3.30
V
Rise Time of Output(3)
tR
100
ns
Fall Time of Output(3)
tF
100
ns
Discharge Leakage Current
ILKG
20
100
nA
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