參數(shù)資料
型號： LM358DG
廠商： ON Semiconductor
文件頁數(shù)： 12/14頁
文件大小： 0K
描述： IC OPAMP DUAL LOW POWER 8-SOIC
標準包裝： 98
放大器類型： 通用
電路數(shù)： 2
轉(zhuǎn)換速率： 0.6 V/µs
增益帶寬積： 1MHz
電流 - 輸入偏壓： 45nA
電壓 - 輸入偏移： 2000µV
電流 - 電源： 1.5mA
電流 - 輸出 / 通道： 40mA
電壓 - 電源，單路/雙路(±)： 3 V ~ 32 V，±1.5 V ~ 16 V
工作溫度： 0°C ~ 70°C
安裝類型： 表面貼裝
封裝/外殼： 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）
供應(yīng)商設(shè)備封裝： 8-SOICN
包裝： 管件
產(chǎn)品目錄頁面： 1129 (CN2011-ZH PDF)
其它名稱： LM358DG-ND
LM358DGOS
LM258, LM358, LM358A, LM2904, LM2904A, LM2904V, NCV2904, NCV2904V
http://onsemi.com
7
V
OR
,OUTPUT
VOL
TAGE
RANGE
(V
)
pp
V
O
,OUTPUT
VOL
TAGE
(mV)
Figure 6. LargeSignal Frequency Response
Figure 7. Small Signal Voltage Follower
Pulse Response (Noninverting)
Figure 8. Power Supply Current versus
Power Supply Voltage
Figure 9. Input Bias Current versus
Supply Voltage
14
12
10
8.0
6.0
4.0
2.0
0
1.0
10
100
1000
f, FREQUENCY (kHz)
550
500
450
400
350
300
250
200
0
1.0
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
t, TIME (ms)
2.4
2.1
1.8
1.5
1.2
0.9
0.6
0.3
0
5.0
10
15
20
25
30
35
VCC, POWER SUPPLY VOLTAGE (V)
90
80
70
0
2.0
4.0
6.0
8.0
10
12
14
16
18
20
I
,POWER
SUPPL
Y
CURRENT
(mA)
CC
I
,INPUT
BIAS
CURRENT
(nA)
IB
RL = 2.0 kW
VCC = 15 V
VEE = Gnd
Gain = -100
RI = 1.0 kW
RF = 100 kW
Input
Output
TA = 25°C
RL =
R
VCC = 30 V
VEE = Gnd
TA = 25°C
CL = 50 pF
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PDF描述
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參數(shù)描述
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LM358DGKR 功能描述:運算放大器 - 運放 Dual General-Purpose Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
LM358DGKRG4 功能描述:運算放大器 - 運放 Dual General-Purpose Op Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 通道數(shù)量:4 共模抑制比（最小值）:63 dB 輸入補償電壓:1 mV 輸入偏流（最大值）:10 pA 工作電源電壓:2.7 V to 5.5 V 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 轉(zhuǎn)換速度:0.89 V/us 關(guān)閉:No 輸出電流:55 mA 最大工作溫度:+ 125 C 封裝:Reel
LM358D-JF 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:Texas Instruments 功能描述:
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