參數資料
型號： LM3046
廠商： National Semiconductor Corporation
英文描述： Transistor Array
中文描述： 晶體管陣列
文件頁數： 5/6頁
文件大?。?/td> 197K
代理商： LM3046
Typical Performance Characteristics
(Continued)
Typical Input Admittance
vs Frequency
DS007950-20
Typical Output Admittance
vs Frequency
DS007950-21
Typical Reverse Transfer
Admittance vs Frequency
DS007950-22
Typical Gain-Bandwidth
Product vs Collector Current
DS007950-23
www.national.com
5
相關PDF資料
PDF描述
LM3046N LM3045/LM3046/LM3086 Transistor Arrays
LM3046M LM3045/LM3046/LM3086 Transistor Arrays
LM305A Voltage Regulators
LM305H Voltage Regulators
LM305AH CAP 10V 1000UF SOLID ELECT AXIAL
相關代理商/技術參數
參數描述
LM3046M 功能描述:達林頓晶體管 Transistor Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
LM3046M/NOPB 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANSISTOR ARRAY RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
LM3046MX 功能描述:達林頓晶體管 Transistor Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
LM3046MX/NOPB 功能描述:達林頓晶體管 Transistor Array RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶體管極性:NPN 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:50 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: 集電極—基極電壓 VCBO: 最大直流電集電極電流:0.5 A 最大集電極截止電流: 功率耗散: 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOIC-18 封裝:Reel
LM3046N 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: 制造商:STMicroelectronics 功能描述:Bipolar Junction Transistor, Array, Independent, DIP 制造商:Texas Instruments 功能描述:Bipolar Junction Transistor, Array, Independent, DIP
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