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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LLE18010X |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 78K |
| 代理商： | LLE18010X |
1999 Apr 22
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LLE18010X
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1. Up to 0.2 mm from ceramic.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CER
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
T
sld
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
soldering temperature
open emitter
R
BE
= 220
open base
open collector
65
40
30
15
3
250
4.5
+150
200
235
V
V
V
V
mA
W
°
C
°
C
°
C
T
mb
= 75
°
C
t
≤
10 s; note 1
Fig.2 Power derating curve.
handbook, halfpage
50
0
50
150
2
0
MLC290
100
mb
o
Ptot
(W)
4
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