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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LLE15370X |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | NPN microwave power transistor |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR |
| 封裝： | METAL CERAMIC, SOT-437A, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 85K |
| 代理商： | LLE15370X |
1997 Feb 18
7
Philips Semiconductors
Product specification
NPN microwave power transistor
LLE15370X
Fig.6 Load power as a function of input power.
V
CE
= 24 V; f = 1500 MHz.
handbook, halfpage
PL
(W)
0
2
4
6
MBD763
30
10
0
20
Pi
Fig.7
Intermodulation distortion as a function of
average output power.
V
CE
= 24 V; f
1
= 1500 MHz; f
2
= 1500.2 MHz.
handbook, halfpage
0
25
5
10
15
20
Po (av)
MBD764
(dBc)
25
50
30
35
40
45
300 mA
ICQ
100 mA
50 mA
Input and optimum load impedances
V
CE
= 24 V; I
CQ
= 0.3 A (see Figs 8 and 9).
f
(GHz)
Z
i
(
)
Z
L
(
)
1.40
1.45
1.50
1.55
1.60
2.4 + j4.4
3.2 + j4.6
4.2 + j4.5
5.3 + j3.8
6.2 + j2.5
5.5
j1.8
5.1
j1.3
4.7
j1.0
4.2
j0.9
3.8
j0.8
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