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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LH28F800BGN-TL85 |
| 英文描述： | x16 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x16閃存EEPROM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 48/56頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 373K |
| 代理商： | LH28F800BGN-TL85 |
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LH28F160S5-L/S5H-L
- 48 -
(NOTE 1)
(NOTE 2)
(NOTE 3)
(NOTE 4)
(NOTE 5)
(NOTE 6)
V
IL
V
IH
High Z
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
PPLK
V
PPH1
V
IH
V
IL
ADDRESSES (A)
WE# (W)
OE# (G)
CE# (E)
DATA (D/Q)
RP# (P)
V
PP
(V)
STS (R)
WP# (S)
V
IL
V
IH
A
IN
A
IN
t
AVAV
t
AVEH
t
WLEL
t
EHWH
t
EHGL
t
EHEL
t
EHQV1/2/3/4
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
Valid
SRD
t
PHEL
t
EHRL
t
VPEH
t
QVVL
D
IN
D
IN
High Z
D
IN
t
SHEH
t
QVSL
t
EHAX
Fig. 18 AC Waveform for CE#-Controlled Write Operations
NOTES :
1.
V
CC
power-up and standby.
2.
Write erase or write setup.
3.
Write erase confirm or valid address and data.
4.
Automated erase or program delay.
5.
Read status register data.
6.
Write Read Array command.
7.
CE# is defined as the latter of CE
0
# and CE
1
# going Low or the first of CE
0
# or CE
1
# going High.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F800BVHE-BV85 | x8/x16 Flash EEPROM |
| LH28F800SGB-L10 | x16 Flash EEPROM |
| LH28F800SGB-L100 | x16 Flash EEPROM |
| LH28F800SGB-L70 | x16 Flash EEPROM |
| LH28F800SGE-L10 | x16 Flash EEPROM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LH28F800BGRBL12 | 制造商:SHARP 制造商全稱(chēng):Sharp Electrionic Components 功能描述:8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories |
| LH28F800BGR-BL12 | 制造商:SHARP 制造商全稱(chēng):Sharp Electrionic Components 功能描述:8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories |
| LH28F800BGRBL85 | 制造商:SHARP 制造商全稱(chēng):Sharp Electrionic Components 功能描述:8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories |
| LH28F800BGR-BL85 | 制造商:SHARP 制造商全稱(chēng):Sharp Electrionic Components 功能描述:8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories |
| LH28F800BGRTL12 | 制造商:SHARP 制造商全稱(chēng):Sharp Electrionic Components 功能描述:8 M-bit (512 kB x 16) SmartVoltage Flash Memories |
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