- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄369754 > LH28F008SAN-120 x8 Flash EEPROM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | LH28F008SAN-120 |
| 英文描述： | x8 Flash EEPROM |
| 中文描述： | x8閃存EEPROM的 |
| 文件頁數(shù)： | 48/56頁 |
| 文件大?。?/td> | 373K |
| 代理商： | LH28F008SAN-120 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁當前第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁
LH28F160S5-L/S5H-L
- 48 -
(NOTE 1)
(NOTE 2)
(NOTE 3)
(NOTE 4)
(NOTE 5)
(NOTE 6)
V
IL
V
IH
High Z
V
IH
V
IH
V
IH
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IL
V
IH
V
IL
V
PPLK
V
PPH1
V
IH
V
IL
ADDRESSES (A)
WE# (W)
OE# (G)
CE# (E)
DATA (D/Q)
RP# (P)
V
PP
(V)
STS (R)
WP# (S)
V
IL
V
IH
A
IN
A
IN
t
AVAV
t
AVEH
t
WLEL
t
EHWH
t
EHGL
t
EHEL
t
EHQV1/2/3/4
t
ELEH
t
DVEH
t
EHDX
Valid
SRD
t
PHEL
t
EHRL
t
VPEH
t
QVVL
D
IN
D
IN
High Z
D
IN
t
SHEH
t
QVSL
t
EHAX
Fig. 18 AC Waveform for CE#-Controlled Write Operations
NOTES :
1.
V
CC
power-up and standby.
2.
Write erase or write setup.
3.
Write erase confirm or valid address and data.
4.
Automated erase or program delay.
5.
Read status register data.
6.
Write Read Array command.
7.
CE# is defined as the latter of CE
0
# and CE
1
# going Low or the first of CE
0
# or CE
1
# going High.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LH28F008SAR-K12 | x8 Flash EEPROM |
| LH28F008SAR-K85 | x8 Flash EEPROM |
| LH28F008SAT-120 | x8 Flash EEPROM |
| LH28F008SAT-K12 | x8 Flash EEPROM |
| LH28F008SCB-12 | x8 Flash EEPROM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LH28F008SAN-85 | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:8M (1M 】 8) Flash Memory |
| LH28F008SAR-85 | 制造商:Sharp Microelectronics Corporation 功能描述: |
| LH28F008SAR-K12 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| LH28F008SAR-K85 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x8 Flash EEPROM |
| LH28F008SAT | 制造商:SHARP 制造商全稱:Sharp Electrionic Components 功能描述:8 MBIT(1 MBIT x 8) FLASH MEMORY |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。