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參數資料
| 型號： | LD274-2 |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter |
| 中文描述： | 5 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
| 文件頁數： | 2/4頁 |
| 文件大小： | 34K |
| 代理商： | LD274-2 |
LD 274
Semiconductor Group
2
1997-11-01
Grenzwerte
(
T
A
= 25
°
C)
Maximum Ratings
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
T
op
;
T
stg
Wert
Value
Einheit
Unit
°
C
Betriebs- und Lagertemperatur
Operating and storage temperature range
– 55 ... + 100
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
T
j
100
°
C
Sperrspannung
Reverse voltage
V
R
5
V
Durchlastrom
Forward current
Stostrom,
t
p
= 10
μ
s,
D
= 0
Surge current
I
F
100
mA
I
FSM
3
A
Verlustleistung
Power dissipation
P
tot
165
mW
Wrmewiderstand
Thermal resistance
R
thJA
450
K/W
Kennwerte
(
T
A
= 25
°
C)
Characteristics
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
λ
peak
Wert
Value
Einheit
Unit
Wellenlnge der Strahlung
Wavelength at peak emission
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
Spektrale Bandbreite bei 50 % von
I
max
Spectral bandwidth at 50 % of
I
max
I
F
= 100 m A,
t
p
= 20 ms
Abstrahlwinkel
Half angle
950
nm
λ
55
nm
A
±
10
0.09
Grad
mm
2
Aktive Chipflche
Active chip area
Abmessungen der aktive Chipflche
Dimension of the active chip area
L
×
B
L
×
W
0.3
×
0.3
mm
Abstand Chipoberflche bis Linsenscheitel
Distance chip front to lens top
H
t
r
,
t
f
4.9 ... 5.5
mm
μ
s
Schaltzeiten,
I
e
von 10 % auf 90 % und von
90 % auf 10 %, bei
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
Switching times,
I
e
from 10 % to 90 % and
from 90 % to 10 %,
I
F
= 100 mA,
R
L
= 50
1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LD3301-X | 1 and 2-Channel 5V or 3.3V GMR Head Preamplifier |
| LD3521PGK-011 | Low-Cost Digital Linescan Camera |
| LD4000 | PR4/EPR4 Read/Write Controller |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| LD274-3 RN23A | 制造商:OSRAM 功能描述: |
| LD274-Z | 制造商:OSRAM 功能描述: |
| LD275-1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Optoelectronic |
| LD275-2 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Optoelectronic |
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