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參數(shù)資料
| 型號： | LD271L |
| 廠商： | SIEMENS A G |
| 元件分類： | 紅外LED |
| 英文描述： | INFRARD EMITTER |
| 中文描述： | 4.95 mm, 1 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm |
| 文件頁數(shù)： | 4/5頁 |
| 文件大?。?/td> | 41K |
| 代理商： | LD271L |
Semiconductor Group
4
1997-11-01
LD 271, LD 271 H
LD 271 L, LD 271 HL
Gruppierung der Strahlstrke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
at a solid angle of
= 0.01 sr
Bezeichnung
Description
Symbol
Symbol
Wert
Value
Einheit
Unit
LD 271
LD 271 L
LD 271 H
LD 271 HL
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
μ
s
I
e
I
e typ.
15 (
≥
10)
120
> 16
mW/sr
mW/sr
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(
λ
)
OHRD1938
λ
rel
Ι
0
880
920
960
1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
Radiant intensity
Single pulse,
t
p
= 20
μ
s
2
10
Ι
e
Ι
e
(100 mA)
I
e
100 mA =
f
(
I
F
)
Ι
OHR01038
F
-1
10
10
0
1
10
10
-2
-1
10
0
10
A
10
1
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
T
OHO00364
A
0
F
Ι
0
20
40
60
80
100
C
mA
20
40
60
80
100
120
140
160
200
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LD271LH | INFRARD EMITTER |
| LD273 | TWO CHIP INFRARED EMITTER |
| LD274 | GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter |
| LD274-3 | GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter |
| LD274-2 | GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| LD271LH | 制造商:OSRAM 功能描述:Q62703Q0838_T1 3/4 (PLASTICS 5MM) 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter,5mm,950nm,LD 271 LH |
| LD271L-H-Z | 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 功能描述:LED IrLED 950nm 2-Pin T-1 3/4 |
| LD273 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:TWO CHIP INFRARED EMITTER |
| LD2732A | 制造商:INT 功能描述:2732 INTEL S11K1C |
| LD274 | 制造商:OSRAM 功能描述:Q62703Q1031_IRED 制造商:Osram Opto semiconductors 功能描述:LED IrLED 950nm 2-Pin T-1 3/4 Bulk 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter,5mm,950nm,LD 274 |
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