參數(shù)資料
型號(hào): LD262
廠(chǎng)商: SIEMENS A G
元件分類(lèi): 紅外LED
英文描述: GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays
中文描述: 2 ELEMENT, INFRARED LED, 950 nm
文件頁(yè)數(shù): 4/4頁(yè)
文件大小: 43K
代理商: LD262
Semiconductor Group
4
1997-11-01
LD 260
LD 262 ... LD 269
Relative spectral emission
I
rel
=
f
(
λ
)
Forward current
I
F
=
f
(
V
E
), single pulse,
t
p
= 20
μ
s
OHRD1938
λ
rel
Ι
0
880
920
960
1000
nm
1060
20
40
60
80
%
100
V
OHR01042
F
F
Ι
1
1
10
0
10
-1
10
10
-2
A
1.5
2
2.5
3
3.5
4 V 4.5
max.
typ.
Radiant intensity
Single pulse,
t
p
= 20
μ
s
2
10
Ι
e
Ι
e
(100 mA)
Permissible pulse handling capability
I
F
=
f
(
τ
),
T
C
= 25
°
C,
duty cycle
D
= parameter
I
e
100 mA =
f
(
I
F
)
Ι
OHR01039
F
-1
10
10
0
1
10
10
-2
-1
10
0
10
A
10
1
10
Ι
F
OHR02182
τ
1
2
10
3
10
4
10
mA
-5
10
10
-4
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
s
T
τ
=
D
F
Ι
T
τ
DC
0,5
0,2
0,1
0,05
0
0,005
0,01
0,02
=
D
Max. permissible forward current
I
F
=
f
(
T
A
)
T
OHR01124
A
0
F
Ι
0
20
40
60
80
100
C
T
L
mA
70
10
20
30
40
50
60
80
,
R
thJL
= 650 K/W
= 750 K/W
thJA
R
Radiation characteristics
I
rel
=
f
(
)
40
OHR01878
0
20
40
60
80
100
120
0.4
0.6
0.8
1.0
100
90
80
70
60
50
0
10
20
30
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
相關(guān)PDF資料
PDF描述
LD271 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
LD271H GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
LD271HL GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter
LD271L INFRARD EMITTER
LD271LH INFRARD EMITTER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
LD263 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter,950 nm,2 Emitters,15deg,LD263
LD264 功能描述:EMITTER ARRAY MINI GAAS 950NM RoHS:是 類(lèi)別:光電元件 >> 紅外發(fā)射極 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,200 系列:- 電流 - DC 正向(If):100mA 輻射強(qiáng)度(le)最小值@正向電流:27mW/sr @ 100mA 波長(zhǎng):940nm 正向電壓:1.6V 視角:40° 方向:頂視圖 安裝類(lèi)型:通孔 封裝/外殼:徑向 包裝:帶卷 (TR)
LD264-SAMPLE 制造商:OSRAM 功能描述:SAMPLE EMITTER, IR, PLASTIC, 4 ELEMENT - Bulk
LD265 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter,950nm,5 elem,+/-15deg,LD 265
LD266 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter,950nm,6 elem,+/-15deg,LD 266