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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | LD242 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | GaAs Infrared Emitter |
| 中文描述： | 砷化鎵紅外發(fā)射器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 4/5頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 39K |
| 代理商： | LD242 |
LD 242
Semiconductor Group
4
1998-07-15
Gruppierung der Strahlstrke
I
e
in Achsrichtung
gemessen bei einem Raumwinkel
= 0.01 sr
Grouping of radiant intensity
I
e
in axial direction
measured at a solid angle of
= 0.01 sr
1)
Die Messung der Strahlstrke und des Halbwinkels erfolgt mit einer Lochblende vor dem Bauteil (Durchmesser
der Lochblende: 1.1 mm; Abstand Lochblende zu Gehuserückseite: 4.0 mm). Dadurch wird sichergestellt,
da bei der Strahlstrkemessung nur diejenige Strahlung in Achsrichtung bewertet wird, die direkt von der
Chipoberflche austritt. Von der Bodenplatte reflektierte Strahlung (vagabundierende Strahlung) wird dagegen
nicht bewertet. Diese Reflexionen sind besonders bei Abbildungen der Chipoberflche über Zusatzoptiken
strend (z.B. Lichtschranken groer Reichweite). In der Anwendung werden im allgemeinen diese Reflexionen
ebenfalls durch Blenden unterdrückt. Durch dieses, der Anwendung entsprechende Meverfahren ergibt sich
für die Anwender eine besser verwertbare Gre. Diese Lochblendenmessung ist gekennzeichnet durch den
Eintrag “E 7800”, der an die Typenbezeichnung angehngt ist.
1)
An aperture is used in front of the component for measurement of the radiant intensity and the half angle
(diameter of the aperture: 1.1 mm; distance of aperture to case back side: 4 mm). This ensures that solely the
radiation in axial direction emitting directly from the chip surface will be evaluated during measurement of the
radiant intensity. Radiation reflected by the bottom plate (stray radiation) will not be evaluated. These
reflections impair the projection of the chip surface by additional optics (e.g. long-range light reflection
switches). In respect of the application of the component, these reflections are generally suppressed by
apertures as well. This measuring procedure corresponding with the application provides more useful values.
This aperture measurement is denoted by “E 7800” added to the type designation.
Bezeichnung
Description
Symbol
Werte
Values
Einheit
Unit
-2
-3
7800
1)
Strahlstrke
Radiant intensity
I
F
= 100 mA,
t
p
= 20 ms
I
F
= 1 A,
t
p
= 100
μ
s
I
e
I
e typ.
4 ... 8
50
> 6.3
75
1 ... 3.2
–
mW/sr
mW/sr
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| LD242ME7800 | Optoelectronic |
| LD242-4 | Optoelectronic |
| LD242-2 | GaAs Infrared Emitter |
| LD242-3 | GaAs Infrared Emitter |
| LD242E7800 | GaAs Infrared Emitter |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| LD242-2/3 | 制造商:OSRAM 功能描述:Q62703Q4749_IRED_TR_RO 制造商:OSRAM 功能描述:IR Emitter,950 nm,TO-18,40deg,LD242-2/3 |
| LD242-3 | 制造商:OSRAM 制造商全稱:OSRAM 功能描述:GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant |
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